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电源模块中关键器件可靠性的研究 吕长志马卫东朱春节段毅谢雪松张小玲郭春生李志国 北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室北京100124 em8il：chzhluQbjut．edu．cn 摘要对当前应用较广泛的Dc／Dc电霖模块中关键器件一VDMOS场效应晶体管和尚特墓势垒二顿管 (SBD)的可靠性进行了研究．使用以器件参数退化为基础的恒定电应力．序进温度应力加速寿命试 x 验方法一恒定电应力温度斜坡法(CETRM)，获得VinOS．SBD的平均寿命分别为1．47107小时和7．6 x10’小时．对试验中失效的VDMOS．SBD进行了初步的失效分析． 关键词Dc，Dc电源模块：可靠性；加速寿命试验：VDMOS；SBD DClDC(直流／直流转换)电源模块是一种运用功率半导体开关器件实现Dc／DC功率变换 的开关电源…．它J。泛麻Hj在电机拖动、不间断电源、加热与照明、电化学、电弧焊、高压 直流输电、有源滤波、无功补偿、计算机、通信等．1：业领域中k‘。在军事领域中，DC／DC电 源模块以其体积小、重量轻、功率密度高、转换效率高、可靠性高等优点，广泛应用于军事 电子控制系统，如车载、机载、舰载和地面的武器装备中。 Dc／Dc电源模块属于多芯片组件(multichipmodule，MCM)，是一种采用微电子技术和 width 先进的制造1．艺，将裸露的开关电源专用集成电路芯片，如脉宽调制(pulse (surfacemounted device．S帅)，密集安装在陶瓷基片上做成的厚膜混合集成电路。它具 有制造．t：艺复杂、影响可靠性的因素较多、分析较困难等。对某型号的电源模块产品的现场 使川统计数据表明：其中VDMOS引起的模块失效约占20％：SBD引起的模块失效约占10％。 因此本文对模块中的上述两种关键器件的可靠行进行了研究。 1．引言 在20世纪80年代以前．各种电子装置、电气控制设备的lj作电源都采}{j线性稳骶电源 (以下简称线性电源)。虽然线性电源的电特性优良，但由于功率调整器件串联在负载同路中， 而且工作在线性区：为了保证输出电压稳定，其集电极与发射极之间承受较大的电压差，导 致调整器件功耗较人、且容易受到损伤，其电源的功率转换效率一般只有45％左右：并且可 靠性较低。另一方面．线性电源需要体积大且笨重的l：频变压器：体积、重鬣都很人的滤波 器：以及体积较人的调整管、并装有体积较大韵散热器：很难满足现代社会发展帚l电子设备 发展的要求 随着计算机等电子设备集成度的不断增加，功能越来越强大，体积却越来越小，要求相 应的电源设备具有更高的能源效率、更小的体积、更轻的重量和更高的可靠性，从丽成为开 关电源技术的强大动力，而新型电力电子器件的发展给开关电源的发展提供了物质的条件。 和线性电源相比，开关电源的功率调整器件工作在开关状态；器件导通时压降j醍小，儿 乎不消耗能量：关断时漏电流很小，也几乎不消耗能罐。其功率转换效率可达80％以上。同 时开关电源具有体积小、重鼙轻、可靠性高的优势，可以较好地满足当前计算机等电子设备 的需要。因此，目前除了对直流输山电压的纹波要求极高的场合外，开关电源已经全面取代 了线性L乜源。 本文研究的Dc／Dc电源模块属于开关电源中较为常用的推挽型Dc／Dc电源模块(以卜．简 称模块)．其电路原理框图如图1所示。协‘模块的主电路图如图2所示． 豳1Dc／Dcf乜源模块l乜路原理框图 圈2推挽型Dc／Dcf乜源模块的主电路图 模块中的功率开关器件可以采用双极结型晶体管(bipolarjunction BJT)、 t．ransistor VDMOS(vertical MOSFET，垂直双扩散金属一氧化物一半导体场效应品体 doVble—diffused 管)和IGBT(insulatedgatebipolarjuncti