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第八届全国电分析化学学术会议论文集
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化学修饰电极上水溶性B族类维生素的电化学及电分析化学研究
万其进}杨年俊喻玖宏
(湖北师范学院化学与环境工程系,黄石435002)
关键词:化学修饰电极,导电聚合物,自组装膜,水溶坞B族类维生素,电分析化学
化学修饰电极是一种新发展起来的、已显示出独特优越性的、能用于多种化学物质的
分析测定的新领域…。在众多制备化学修饰电极方法中,聚合法和自组装法得到了人们更
多的注意。有关化学修饰电极研究酶、DNA、其它生物物质以及某些无机和有机物质的报
道较多,而有关药物分子比如维生素在修饰电极上的电化学行为以及测定方法研究的报道
比较少见。我们利用化学修饰电极较详细地研究了几种水溶性B族类维生素在化学修饰电
极(CME)上的电化学行为”“,据此建立了测定它们的伏安分析方法。
水溶性B族维生素有硫胺素(VB。)、核黄素(VB:)、叶酸(vB。)、腺嘌呤(vBt)、烟酸(VB5)、
吡哆星(vB。)、钴胺素(vB。:),其中维生素B,、B:、Bs、Bs与能量的释放有关,而维生素&、
B4、B。。则是生血过程必需的维生素。主要工作如下:
I.VB。在c胍上的电化学行为及其分析应用
1I.40
在pn B—R缓冲溶液中,vB.在L一半胱胺酸自组装膜修饰电极(Cys/SAM/Au)上
表现为一不可逆、单电子/单质子参与的氧化反应;VB-在Cys/SAM/Au上的方波电流与其
浓度在1.1X10。8’2.2X101mol/L范围内呈现良好的线性关系,检测限达5.5X101
mol/L;方法用于片剂中vB。含量的测定,结果令人满意。
2.vB:在CME上的电化学行为及其分析应用
6.9NH。一N}I。c1缓冲溶液中,vB。在Cys/SAM/Au上表现为一受吸附控制的、不可
在pn
逆的、二电子/_-质子参与的还原反应;1IrB:在Cys/SAM/Au上的线性伏安扫描电流与其浓
度在5.0XlO“1’5.0X101mol/L范围内呈现良好的线性关系,检测限可达2.5X1011
mol/L;方法已成功地用于片剂中vBz含量的测定。
3.叶酸在CME上的电化学行为和分析应用
分别研究了叶酸在导电聚合物膜和自组装膜化学修饰电极上的电化学行为。
7.4
在DH PBS缓冲溶液中,叶酸在2一巯基苯并噻唑自组装膜修饰电极(MBT/SAM/Au)
上表现为一准可逆的二电子/--质子参与的氧化还原反应;研究了对应的电化学和动力学
s1、叶酸在衄T/SAM/Au上的最
常数:当扫速为100mV/s时电子传输平均速率为0.085
10。o 10。
大覆盖度为2.8X mol/cm2、叶酸在佃T/sAII/Au上的吸附平衡常数为(4.0±0.2)X
L/mol以及电极反应电阻为12489n。依据叶酸在船T/s川/Au上的电化学行为,建立了
测定叶酸含量的伏安分析方法:叶酸在MBT/SAl^/Au上的氧化峰电流与其浓度的对数值在
8.0X101~1.0X 101
10“mol/L范围内有线性关系,检测限为4.0Xmol/L;方法还应
用于实际样品中叶酸含量的测定,结果满意。
4.VBs在CME上的电化学行为和分析应用
研究了vBe在聚甲基红导电聚合物膜化学修饰电极(PMRE/CME)上的电化学行为。
PMRE/CME对vBe有良好的伏安响应,在较低的扫速下,vB6在该修饰电极上产生一对准可
逆氧化还原峰。氧化峰电流与vBe浓度在2X10。’1X10‘2mol/L范围内有良好的线性关系,
检测限可达1×10
mol/L,用于样品分析,取得了满意的结果。
5.烟酸在CME上电化学行为及其分析应用
11.92
在pH B—R溶液中,烟酸在船T/sAM/Au上出现了两对氧化还原峰,对应的氧化
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