高致密ITO靶材制备工艺的研究现状和发展趋势.pdfVIP

MatedalHeat 下半月出版 Treatment§材料热处理技术 一一————————————————————————————————————————————————————————————一 高致密ITO靶材制备工艺的研究现状和发展趋势 彭平，陈敬超，王鹏，陈守东 r昆明理工大学稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室云南省新材料制备与加工重点实验室，云南昆明 650093) 摘要：简述了ITO薄膜的各种性能和主要应用，综述了国内外ITO靶材的主要成形、烧结工艺及其研究现状，概 括了ITO靶材的发展趋势。 关键词：ITO靶材；成形工艺；烧结工艺 中图分类号：TB332 文献标识码：A 文章编号：1001-3814(2012)24—0031-04 ProcessResearchStatusand Trendof Preparation Development ITO High Target Density PENG Jingchao，WANGPeng，CHENShoudong Ping，CHEN of ofPrecious-nonferrousMetalsofEducation Advanced ofAdvancedMaterials Laboratory Laboratory Ministry，Key (Key MaterialsofYunnan ofScienceand 650093，China) Province，KunmingUniversity Technology，Kunming and ofITOfilmwere and inChinaand Abstract：The described；the performanceapplication formingsintedngprocesses abroadwere trendofITO was summarized；thedeveloping targetprospected． words：ITO Key target；formingprocess；sinteringprocess IIl：0，具有体心立方铁锰矿晶体结构，掺杂SnO：电池和电磁屏蔽等领域【24l。 形成ITO固溶体之后．变成了一种高度简并n型半 高性能的ITO靶材应满足的技术特性主要有【4，7]： 导体，其中Sn4+取代并占据研+的位置，在具有立方①纯度达到99．99％以上。杂质总含量不超过100x10-6； 结构的复合氧化物晶格中造成大量点缺陷同时．还 ②相对密度在99．5％以上，密度均匀度偏差0．15％： 产生了大量自由电子。这些点缺陷和自由电子在电 ③组织均匀，SnO：均匀固溶到IntO，中形成单一的 场的作用下充当载流子．从而显现出了良好的导电