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纳米器件与技术
NanoelectronicDeviceTechnology
纳米晶非挥发性存储器研究进展
管伟华,刘 明,龙世兵,李志刚,刘 琦,胡 媛,贾 锐
(中国科学院微电子研究所 纳米加工与新器件集成技术实验室,北京 )
100029
摘要:介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储
器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、
纳米晶晶体生长控制方法、隧穿 控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究
/
进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。
关键词:纳米晶;非挥发性存储器;分立电荷存储;纳米晶存储器
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TP333.5 A 1671-4776 2007 05-0225-06
AdvancesinNanocrystalNonvolatileMemory
, , , , , ,
GUANWei-hua LIUMing LONGShi-bing LIZhi-gang LIUQiHUYuan JIARui
( ,
KeyLaboratoryofNano-FabricationandNovelDevicesIntegratedTechnology
, , , )
InstituteofMicroelectronicsChineseAcademyofSciencesBeijing100029 China
:
AbstractThedevelopmentandthebasicworkingprincipleofnanocrystalnonvolatilememoryare
introduced.Thedifferentmechanismsofchargetransportationarecompared.Thelatestdevelop-
,
mentandprogressofnanocrystalnonvolatilememoryonnanocrystalmaterialdesign nanocrystal
formation,tunneling/controldielectricmaterialengineeringandnoveldevicestructurearesystem-
aticallydiscussed.Futureresearchdirectionofnanocrystalnonvolatilememoryisgiven.
: ; ; ;
Keywords nanocrystalnonvolatilememory discretechargestorage nanocrystalmemory
一方面要求具备较好的数据保持性能以保持电荷存
1 引 言
储 10年以上。出于折衷考虑,隧穿介质层的厚度
自 首次提出采用 纳米晶作为存储
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