基于分子量级化学机械抛光材料去除机理.pdfVIP

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2015-09-20 发布于安徽
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基于分子量级化学机械抛光材料去除机理.pdf

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第卷第期半导体学报年月基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理王永光赵永武江南大学机械工程学院无锡摘要采用原子力显微镜模拟单个磨粒与芯片的划痕作用文中以此为基础使用线性回归的方法计算了化学机械抛光中实际载荷情况下的划痕深度数量级为应用椭圆偏振光谱仪测试了氧化薄膜厚度和反应时间的关系并结合理论计算得到内氧化薄膜厚度的量级为实验结果为单分子层材料去除机理提供了依据最后以此机理为基础建立了单分子层材料去除模型结果与他人实验相吻合为进一步研究中单分子层材料去除机理提供了理论依据关键词化学机械抛光单分子层机理试验理论模型中图分类号文献标识码文章编号此需将实验和理论相结合来判断材料的微引言观去除机理为深入研究材料的去除机理本文通过化学机械抛光是芯片制造过程中的关实验的方法消除其他因素的耦合影响研究单个磨键技术目前机理研究存在很多争议多粒与芯片的相互作用规律通过实验实认为磨粒首先压入芯片表面然后在芯片表面产生验和中材料去除率的计算共同验证单分子层划痕但是磨粒压入芯片的深度接近材料的去除机理