原创力文档- 1、本文档共5页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
年 月
基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理
王永光 赵永武
江南大学机械工程学院无锡
摘要 采用原子力显微镜 模拟单个磨粒与芯片的划痕作用文中以此为基础使用线性回归的方法
计算了化学机械抛光 中实际载荷情况下的划痕深度数量级为 应用椭圆偏振光谱仪
测试了氧化薄膜厚度和反应时间的关系并结合理论计算得到 内氧化薄膜厚度的量级为 实验
结果为单分子层材料去除机理提供了依据 最后以此机理为基础建立了单分子层材料去除模型结果与他人实
验相吻合为进一步研究 中单分子层材料去除机理提供了理论依据
关键词化学机械抛光单分子层机理试验理论模型
中图分类号 文献标识码 文章编号
此需将实验和理论相结合来判断 材料的微
引言 观去除机理
为深入研究 材料的去除机理本文通过
化学机械抛光 是芯片制造过程中的关 实验的方法消除其他因素的耦合影响研究单个磨
键技术 目前 机理研究存在很多争议 多 粒与芯片的相互作用规律 通过 实验 实
认为磨粒首先压入芯片表面然后在芯片表面产生 验和中材料去除率的计算共同验证单分子层
划痕 但是磨粒压入芯片的深度接近 材料的去除机理
文档评论（0）