CuInS2薄膜的低温合成及表征.pdfVIP

SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF CuInS2 THIN FILM AT LOW TEMPERATURE A Dissertation Submitted to the Graduate School of Henan University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Master of Engineering Science By Li Hongwei Supervisor: Associate Prof. Hu Binbin, Prof. Zhang Xingtang. May, 2013 摘 要 在全球经济快速发展，环境质量不断下降以及传统能源频频告急的社会背景下，近 年来，人们开始探索可替代传统能源的绿色无污染、储量丰富的新能源，试图改变现存 的能源结构。研究过程中，CIS 薄膜太阳能电池以其独特的材料优势引起了广大科研工 作者的密切关注。CIS 基薄膜太阳能电池的工作原理是利用P-N 结将太阳能转化成电能。 CIS 基薄膜太阳能电池具有较高的转化效率和比较合适的光学带隙，能吸收绝大多数波 段的太阳光；在CIS 基薄膜太阳能电池的制备过程中，不会掺入类似于硒的有毒元素。 这些特点促使CIS 太阳能电池成为最具有应用前景的新能源。但是CIS 基薄膜太阳能电 池至今都未实现大规模产业化。原因主要是CIS 基薄膜太阳能电池在制备过程中都不同 程度地存在技术复杂，所用设备昂贵，制作过程要求真空，薄膜的大面积和质量难以精 确调控等。所以，探索一种低成本合成方法成为CIS 基薄膜太阳能电池发展的一个关键 问题。此外，CIS 基薄膜材料的结构特征是影响其性能的一个重要方面。通过一种简单 的方法实现对CIS 薄膜结构的有效调控，对于该类材料的应用具有非常重要的意义。 仿生矿化方法制备的薄膜材料具有低能耗（常温常压等温和条件），高结晶性，形 貌可控等特征。将仿生矿化方法引入到CuInS2 薄膜的制备过程，能够实现对CuInS2 薄 膜材料的形貌和结构的可控调节，从而提高 CuInS2 薄膜太阳能电池的性能。这样既可 以扩展仿生矿化方法的应用范畴，又能促进太阳能电池性能的提高。另外，在前期尝试 室温条件一步合成 CuInS2 薄膜过程中，由于反应系统中铜、铟和硫三者的反应速率不 一致，最终得到的产物往往是Cu S 和In S 的混合相。通过络合剂调节反应速率，过程 2 2 3 复杂、繁琐，且产物中的络合剂难以去除。将铜片作为铜源引入反应系统，可以有效降 低反应系统中铜的反应速率，实现铜、铟和硫反应速率的基本一致，最终得到 CuInS2 薄膜材料。在室温条件下采用铜片作铜源的湿化学方法，制备 CuInS2 薄膜是一个简单 可行的制备CuInS2 薄膜的方法。利用此方法制备 CuInS2 薄膜不需要昂贵的设备，不需 要真空条件，也不会引入有毒元素等。利用铜片作铜源的湿化学方法为 CuInS2 的制备 提供了一个新思路。 基于上述思路，本文首先尝试利用湿化学方法在室温条件下制备硫化铟薄膜，同时 采用仿生矿化方法制备碱式硝酸铜薄膜。进而以硫化铟薄膜作为基底，采用仿生矿化方 I 法在硫化铟薄膜基底上制备了碱式硝酸铜薄膜。然后将复合薄膜在500℃条件下硫化退 火30 min 获得CuInS2 薄膜材料。研究了In/S 比例和反应时间对硫化铟