薄膜物理-CH8薄膜的结构与缺陷.pptVIP

薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 光电效应 根据Einstein的能量关系式有： h? = EB + EK 其中? 为光子的频率，EB 是内层电子的轨道结合能，EK 是被入射光子所激发出的光电子的动能。实际的X射线光电子能谱仪中的能量关系。即 其中为真空能级算起的结合能?SP和?S分别是谱仪和样品的功函数 。 薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷 晶粒间界 薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷 薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷 层错缺陷 薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 ★ 薄膜结构与组分的分析方法 表面分析技术是人们为了获取表面的物理、化学等方面的信息而采用的一些实验方法和手段。 Sample Excitation source Signal Detector Event 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 X射线衍射技术 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 扫描电子显微镜分析 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 特征X射线与原子序有如下关系： 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 俄歇电子能谱（AES） 1925年P.Auger已经在Welson云室内观察到Auger电子径迹，并正确地解释了这种电子的来源。 尽管当时人们已经认识到它可以成为一种成分分析的手段，但直到六十年代中期，随着超高真空系统和高效的微弱信号电子检测系统的发展，才出现了可以用于表面分析的实用Auger电子能谱仪。 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 随着科学技术的不断发展，使Auger电子能谱仪的性能不断改进，并出现了扫描Auger电子显微术(SAM), 成为微区分析的有力工具。 电子计算机的引入，使Auger电子能谱仪的功能更趋完善。目前， Auger电子能谱已成为许多科学领域和工业应用中的最重要的表面分析手段之一。 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 Auger过程 Energy source Ejected core electron Outer electron fills core level hole Transfer of excess energy Auger electron emitted 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 Auger过程 (a) KL1L3 Auger 跃迁 (b) K?1 辐射跃迁 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 Auger跃迁 Auger跃迁的标记以空位、 跃迁电子、发射电子所在的能级为基础。如初态空位在K能级，L1能级上的一个电子向下跃迁填充K空位，同时激发L3上的一个电子发射出去便记为KL1L3。一般地说，任意一种Auger过程均可用WiXpYq来表示。 此处，Wi, Xp和Yq代表所对应的电子轨道。 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 Auger电子能量的半经验方法 Auger过程和能量守恒定律可以想到对于WXY过程，Auger电子的能量应为： ? EWXY(Z) = EW(Z) ?EX(Z) ?EY(Z) ??A ? 其中EW(Z), EX(Z), EY(Z)是各壳中电子的结合能，?A 是脱出功。 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 Perkin-Elmer公司的Auger电子能谱手册，其中给出了各种原子不同系列的Auger峰位置。 每种元素的各种Auger电子的能量是识别该元素的重要依据。 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 从1967年L.A.Harris采用微分方法和锁定放大技术，建立第一台实用的Auger电子谱仪以来，Auger电子谱仪无论是在结构配置上，还是在性能上都有了长足的改进。 Auger电子谱仪目前主要由Auger电子激发系统??电子枪，Auger电子能量分析系统??电子能量分析器，超高真空系统，数据采集和记录系统及样品清洗、剖离系统组成。 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 电子枪 电子枪是用于激发Auger电子的装置。Auger电子的能量一般在0~2000eV之间，所以电子枪的加速电压一般在5 keV以上。 为了能采集Auger电子像，扫描Auger电子谱仪(SAM)的电子枪加速电压一般为10~15 keV。 电子枪的电子束斑直径，决定着SAM