射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜.pdfVIP

第53卷第8期2004年8月 物 理学 报 1000．3290／2004／53(08)／2780-06ACTAPHYSICASINICA @2004Chin．Phys．Soc． 射频溅射法制备3C．SiC和4H。SiC薄膜* 林洪峰 谢二庆+ 马紫微 张 军 彭爱华 贺德衍 (兰州大学物理科学与技术学院，兰州730000) (2003年7月18日收到；2004年4月13日收到修改稿) 利用射频溅射法在si衬底上制备了SiC薄膜，并利用x射线衍射(XRD)和红外(IR)吸收谱对薄膜的结构、成分 及化学键合状态进行了分析．XRD结果表明，低温制备的SiC薄膜为非晶相，而在高温下(800。C)，薄膜呈现4H— SiC和3C．SiC结晶相．1R谱显示，溅射制备薄膜的吸收特性主要为si—c键的吸收．此外，还利用原子力显微镜对薄 膜的表面形貌进行了研究，并研究了样品的场发射特性． 关键词：射频溅射，SiC薄膜，结构，表面形貌，场发射 PACC：8115，8160C，0785 H薄膜，在两种不同的激发波长工作条件下对样品 1．引 言 进行了Raman测量，研究了低碳含量(约低于 20at％)a．SiC：H薄膜的结构特征．王引书等帕。研究 作为一种新型宽带隙半导体材料，SiC以其高 了预注入对si．。C。合金薄膜形成的影响，认为预 的禁带宽度，高的击穿临界场强、饱和速度和热导 注入对si。一。c；合金形成的影响与注入c离子的剂 率，小的介电常数和较高的电子迁移率，以及抗辐射 量密切相关．张洪涛等1报道了采用大功率密度的 能力强、结实耐磨等特性而成为制作高频、大功率、 耐高温和抗辐射器件的理想材料¨o．另外，SiC与 GaN和A1N的晶格失配分别为3％∽o和1％¨o，晶格 膜，并利用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面 常数很接近，而且晶体结构和对称类型相同，因此也 形貌，结果表明在低压下制备的薄膜表面结构紧密、 是GaN，A1N最理想的衬底材料．目前，入们已经成 粗糙度较小，在高溅射气压条件(高于1Pa)下得到 功地在6H．SiC衬底上制作了GaN发光二极管 的薄膜表面呈颗粒状形貌．Lei等旧。研究了反应直流 (LED)．作为宽带隙半导体材料，SiC也是一种优异 磁控溅射SiC薄膜的红外反射谱，实验结果与有效 的场致电子发射冷阴极材料，在未来平板显示器件 介质理论的模拟结果相符． 领域有广阔的应用前景．与Si，GaAs等常规半导体 SiC薄膜的外延生长方法有很多，包括化学汽 材料相比，SiC材料的优越性是显而易见的，因此， 许多国家相继投入大量的资金对SiC材料进行了广 泛而深入的研究． 外延生长技术．CVD法沉积SiC薄膜时需要较高的 目前，国外的研究者们对SiC材料的各种生长 衬底温度(1300℃)，薄膜中不容易形成理想的si，c 方法及其物理特性进行了大量的研究，国内也相继 的化学比例，并且薄膜中通常含有一定数量的H元 开展了此领域的研究工作．由于SiC晶体材料的生 素，由于H的存在，影响了薄膜的物理化学性能，也 长必须在高温(高于2200℃)下进行H。，并且SiC晶增加了材料分析的难度．溅射法与其他方法相比，具 体材料非常昂贵，因此，近年来国际上开展了SiC单 有成膜温度低、质量较好、与衬底结合牢固、薄膜厚 晶薄膜材料的外延生长技术研究．王燕等∞。用等离 度均匀等特点，并且可以形成