射频磁控溅射制备Mn掺杂ZnO薄膜的结构与光学性能.pdfVIP

助 能 材 料 2011年增刊Ⅲ(42)卷 射频磁控溅射制备Mn掺杂ZnO薄膜的结构与光学性能+ 张欢欢1，李 智2，苗春雨1，马春雨1，张庆瑜1 (1．大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室，辽宁大连116024； 2．大连大学机械工程学院，辽宁大连116623) 摘 要： 采用反应射频磁控溅射方法制备Zn。一。 对ZnO磁学、电学性质的影响，而对其结构和光学特 M毗0薄膜(o≤X≤0．25)，并在不同温度下进行退火性的研究比较少。由于不同过渡金属Mn，Co，Fe，Cu 处理。通过原子力显微镜、薄膜X射线衍射、透射电 等掺杂ZnO对光学禁带宽度E具有调制作用，通过 子显微镜和透射光谱对薄膜的成分、表面形貌、微结构 研究其光学特性也有望为发展宽带隙可调半导体材料 和光学性质进行了研究。结果表明，薄膜结晶质量明 提供实验依据，然而，Eg随着掺杂浓度的变化而出现 显地依赖于掺杂Mn元素的浓度，所有薄膜都表现了 红移、蓝移或非单调变化等现象，其中的机制至今仍是 沿(002)晶面方向择优取向生长，当Mn含量为7％时，未解决的问题。为此，本文利用反应射频磁控溅射法 Mn完全进入ZnO晶格，无纳米级第二相析出，当Mn制备Mn掺杂ZnO薄膜，探讨不同Mn含量的掺杂和 含量超过13％时，会有ZnMnO。杂相析出。Mn掺杂退火温度对Mn掺杂Zn0薄膜微结构和光学性质的 ZnO薄膜(Znl一。MnxO，z≈0．07)经600～800℃退火影响。 处理后，薄膜的光学带隙发生蓝移，带隙能由3．17eV 2 实 验 升高到3．27eV，当退火温度高于700℃时，薄膜中压应 力得到释放。 关键词： Mn掺杂ZnO薄膜；射频磁控溅射；微结构；杂ZnO薄膜，溅射靶采用直径为60mm的金属锌靶 光学特性 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 置在Zn靶上，实验中Mn的掺杂量通过调整小Mn片 文章编号：1001-9731(2011)增刊lit-0536-05的面积来控制。Mn掺杂ZnO薄膜沉积采用石英片和 n型Si(001)基片。基片清洗处理的方法为：将基片放 1 引 言 人丙酮、乙醇、去离子水中各超声波清洗5min；最后， ZnO作为新一代宽带半导体材料，具有良好的光 经去离子水冲洗，用干燥N：气吹干后快速放人真空 电、压电和气敏特性，在发光二极管、光探测器、表面声 室。溅射的气体为纯度≥99．99％的Ar和0。混合气 波器件及气敏传感器等众多领域有着广泛的应用。当 体，真空室的本底真空为6．0×10～Pa，溅射过程中的 其掺杂过渡金属时，有可能实现磁性材料和半导体材 semi- 料的结合，即实现稀磁半导体(dilutedmagnetic conductor，DMS)。自从2000年，Dietl等人[13采用温度为400℃，沉积时间为2h，基片与溅射靶之间的距 Zener(齐纳)模型计算预测，Mn掺杂的P型ZnO具有离为70mm。薄膜在空气环境中进行了不同温度的退 室温下的铁磁性，此后ZnO基稀磁半导体材料受到人 火处理。退火温度范围为600～800℃，退火时间为 们特别的关注。目前有关Mn掺杂ZnO稀磁半导体 1h，然后样品自然冷却至室温。 的报道较多，其样品制备通常采用脉冲激光沉积法、磁 薄膜的结构表征主要采用X射线衍射(XRD)分 控溅射法、离子注入法等，但结论相差很大[2]，对Mn 掺杂ZnO稀磁半导体是否具有室温铁磁性还没达成 Ka，A= 是在日本岛津公司XRD-6000衍射分析仪(Cu 一致的结论。有报道认为Mn掺杂ZnO稀磁半导体