半导体ZnO新型纳米结构的理论和实验的研究.pdf

摘 要 近几年，人们对纳米材料的合成兴趣越来越大。其中，半导体就是最有吸引力的 功能纳米器件材料之一。合成半导体纳米结构的多种技术已经被报道。特别是在室温 下具有 3.37 eV 的宽带隙的氧化锌已引起人们的注意，因为它在紫外光发光器件方面 有潜在的应用。该纳米结构在光电子学，微电子学，生物医学科学方面有潜在的应用： 如发光二极管， 纳米激光器件，光传感器和气体传感器，变频器，染料敏化太阳能 电池，变阻器和光催化剂。现在，寻找氧化锌新的结构，性能和应用已成为最重要的 领域之一。使用有效的表征技术在确定制备纳米结构的最佳条件和确保高纳米结构的 质量上是必不可少的。氧化锌的掺杂这个研究课题引起了相当大的兴趣，但讨论仍然 有限。氧和硫由于有类似的电子层结构，它们有许多共同的物理和化学特性。氧化锌 搀杂硫能改善其电学和光学性能，因为大的电负性及硫和氧元素大小的区别。另外， 因为硫化锌比氧化锌的带隙较大，可能需要带隙设计。 在这篇论文里，通过化学气相沉积的方法合成了多种氧化锌和硫搀杂氧化锌纳米 结构。这些纳米结构合成在硅，石英和铁合金基片上，并研究了它们的结构和光学特 性。氧化锌和硫化亚铁被分别用作锌源和硫源。这些化合物被证明是化学气相沉积方 法的良好源材料。当我们在源材料中增加硫化亚铁的浓度时，硫在合成物中的含量也 相应增加。我们的研究工作表明，这些纳米结构的形貌取决于源的温度，沉积温度， 氩气的流速，源材料之间的比率以及基底的性质。在实验结果的基础上提出了这些纳 米结构成长的过程。它主要包含如下四个部分： 合成了部分硫掺杂的三片面的对称羽毛状氧化锌纳米结构。产物是不用催化剂一 步合成的。合成的样品有近相同的纳米结构形态，虽然这些样品含有不同浓度的 硫（1.55原子百分比和10.48原子百分比）。我们的研究表明，该样品的茎部是 硫掺杂的，而牙齿部分则没有。这些合成的纳米结构都是纤锌矿单晶结构。室温 光致发光（PL）光谱合成的产品在紫外，蓝光和绿光发射区呈现三个PL峰。硫搀 杂使这些峰都移向高能区域。 合成了ZnO:S/ZnO （硫搀杂丝带与氧化锌纳米齿）纳米锯异质结构。在400-450 ℃生长温度范围得到了最佳的选择和最高密度的纳米锯。我们的研究表明，该薄 I 带是硫掺杂的氧化锌，而牙齿部分只有氧化锌。在不同的生长温度，我们也实验 得到了纳米棒，纳米飞机，纳米带和表面光滑的纳米尖状结构。纳米锯的光致发 光谱表明，在室温下它有比不搀杂的纯氧化锌粉末更强的可见光发射带。纳米锯 异质结构的强可见光发射带可能在未来的紫外线受激荧光粉以产生明亮、宽广的 可见光方面有用。 合成了ZnO:S/ZnO六片状纳米转子异质结构。我们设计了一系列的实验调查生长 温度，生长时间以及做为起始原料的氧化锌和硫化亚铁的比例对实验结果的影响。 获得纳米转子的最佳条件；生长温度：400-425 ℃范围之间；生长时间：100 分钟以及氧化锌和硫化亚铁的比例为1:1。每个纳米转子异质结构由一个纳米线 核心与从这个核心向外产生的分支构成。我们的研究表明，纳米线核心部分是硫 搀杂的氧化锌，纳米棒部分则只有氧化锌。此外，用紫外可见光谱测算了纳米转 子的激子吸收峰。纳米转子的光致发光谱比不搀杂的纯氧化锌粉末有更强的可见 光发射带。在我们的实验中，我们发现该纳米结构的硫含量与基底和源料之间的 距离非常敏感。由于在氧存在的条件下硫元素是非常活泼的，在源和衬底的距离 增大时，由于与剩余的氧气反应，硫部分的气压将会急剧减少。因此，我们可以 简单地通过调节基底和源材料之间的距离在一定程度上调节纳米结构的硫含量。 通过退火硫化锌掺杂聚乙二醇合成了多孔和高度多孔氧化锌球形微粒。纯硫化锌 在约600 ° с温度退火获得了氧化锌纳米颗粒。合成研究这种聚合物/无机复合 物前驱体以确定制备氧化锌颗粒的最佳条件。据观察，PEG的加入对产物氧化锌 的形态，粒径分布和光致发光性质有很大的影响。在PL谱测量时，得到两个峰， 一个是所有样品在394 nm都有的典型的紫外线峰。另外一个峰，对于样品A （没 加PEG），峰在468nm；对于样品B，（0.05克PEG），峰移到489纳米；对于样品 C （下与0.1克PEG），峰移到