稀土离子4f-5d光谱格位选择效应及其发光中心自发辐射寿命的理论的研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文介绍了关于晶体中电荷补偿离子格位选择在稀土发光离子的4f专5d 单光子光谱中的效应以及介质中发光中心的自发辐射寿命(速率)等方面的研究。 本人的工作主要包括以下三个部分：运用参数化哈密顿量方法研究有C4，格位的 4f肛1 微扰理论计算镧系离子4fⅣH 5d跃迁电偶极矩；以及运用Ewald．Komfeld 晶格求和方法对介质中局域场效应模型的微观模拟。 Reid 在第一部分中，我们介绍了fd跃迁的参数化哈密顿量方法，并利用M．E 教授编写的基于该方法的扩展f-shell程序，计算了C4，格位的F／H-／D’电荷补偿 j 的CaF2：Ce3+和CaF2：Pr”体系的4f5d激发谱，与实验吻合得很好。根据计算 的结果重新指认了光谱，例如在F．补偿的CaF2：pr3+激发谱中以前指认为￡格位 激发的206nm和105nm谱带实际上是来自于C4v格位激发。分析表明，由于对 称性从仇降低到c4，导致立方对称性下的和T2。谱带都有很大的分裂，尤其 是E叠轨道沿C4轴向分布，受补偿离子影响更大，谱带分裂也更为明显。H‘仍‘ 电荷补偿的谱带分裂相较于F-电荷补偿更宽，Eg和T2。谱带的分裂均约为后者的 1．5倍，这是由于H-／D’具有更大的离子半径，和周围离子的电子排斥作用更大。 此外基于叠加模型理论，我们还利用程序拟合给出的晶场参数半定量地计算了晶 格畸变大小。 在第二部分中，我们首先介绍了多体微扰理论，并展示如何运用此方法构建 H 自由离子的4f 5d单光子电偶极矩跃迁有效算符(展开到一阶)。其一阶有效 算符包括正比于零阶算符的单体修正项(比例系数为一万)和一个较弱的二体修 正项。有效算符的单体部分可以等价的对径向积分进行修正 Hartree-Fock从头算方法， (5dlrl4f)efr=(1-8)(5dlrl4f)。我们运用Relativistic 计算了二价和三价镧系稀土离子的有效径向积分(5dlrl4f)胛及二体修正因子。 也基本符合实验数据。径向积分减小的主要贡献来自于组态混合，尤其是 5p54fN5d1混入4一组态和5p54，15d2混入4，15d组态的效应。 最后一部分的工作主要是从经典的微观的角度出发，运用Ewald．Kornfeld 求和方法，计算发光中心镶嵌在具有周期结构的介质中的局域场效应。纯电介质 在外场作用下可以看作具有周期结构的电偶极矩排列。利用Ewald．Kornfeld求和 方法可以通过合理选择参数，7，使得在求解中涉及到长程作用而须无限求和的 (纯介质中各个格点的)局域电场能够在有限范围求和下快速收敛。然后分别通 过迭代方法计算单发光离子取代和内含发光离子的纳米颗粒取代两种情况下，发 光中心的局域电场和介质中的宏观电场的比值．厂对折射率玎的依赖关系，并与虚 腔和实腔模型进行比较分析。结果表明：单个离子取代时，曲线落在实腔和虚腔 模型之间，若取代后对周围介质环境改变明显，则更倾向于实腔模型，相反则倾 向于虚腔模型：发光中心若处在真空腔体中，则腔体越大越接近实腔模型，大约 在半径为8倍晶格常数时与实腔模型理论值的误差为10％：纳米颗粒取代情况基 本符合修正后的实腔模型的预言，颗粒越大，符合得越好。 关键词：f-d跃迁，格位选择激发，参数化哈密顿量方法，自发辐射寿命，电偶 极矩有效算符，多体微扰理论，局域场效应，Ewald．Kornfeld方法，虚腔模型， 实腔模型 Abstract Abstract effectof ionon Thisthesis the ofsite．selective presentsstudy charge—compensated