一种精简的高速率功率MOS驱动器.pdfVIP

2012年4月 西安电子科技大学学报(自然科学版) Apr．2012 第39卷第2期 JOURNALoFXIDIANUNIVERSITY V01．39NO．2 doi：10．3969／j．issn．1001—2400．2012．02．028 一种精简的高速率功率MOS驱动器 何惠森1’2，来新泉1’2，许文丹3， 赵永瑞1’2， 田 磊4，杜含笑h2 (1．西安电子科技大学电路CAD研究所。陕西西安710071；2．西安电子科技大学超高速电路设计与 电磁兼容教育部重点实验室．陕西西安710071；3．西安航空技术高等专科学校图书馆，陕西西安 710071；4．西安邮电学院电子工程学院，陕西西安710121) 摘要：设计了一种具有新颖的死区产生方法的高压功率MOS驱动电路，利用电阻调节驱动MOS营栅极 电容充放电的时延，来产生极短的死区时间，可精简电路结构．提高驱动速率，并且无需电流偏置，就能有 BCD工艺，经Cadence环境下进行仿真验证．结果表明，该驱动电路能够 效降低电流源噪声．基于0．4ttm 产生10ns以下的死区时间，且传输时延低于70ns．对采用该驱动电路的一款功率因数校正芯片进行测试， as，下降沿时间为55as．功率因数可达0．995，总谐波失真为6．5％． 驱动输出开关信号的上升沿时闻为90 关键词：驱动电路；功率MOSFET；功率因数校正；BCD工艺#死区时间 中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：l001—2400(2012)02—0168—07 driverwitha structurefor MOSFET gate simple power High—speed HEHuisenl一。LAJ Wendan3。 Xinquanl一。XU ZHA0 Lei4，DUHanxia01·2 yongruil一．TIAN (1．Researchlnst．ofElectronicCAD，XidianUniv．，Xi’an ofEducation 710071，China；2．Ministry and I，ab．of CircuitDesignEMC，XidianUniv．，Xi’an710071．China；3．I。ihrary， Key High—Speed Posts Xi’anAerotechnical 710071，China；4．SehoolOfElectronic Univ．Of Collage，Xi’an Eng．，Xi’an Telecommunications．Xi’an71012l。China) withlowtransmissionandultra-lowdead—timeis for Abstract：Anovel driver a gate delay proposed MOSF