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Ag-ZnS纳米复合薄膜的微结构和电学特性研究.pdf
第30卷第4期 真空科学与技术学报
C瑚啉ESE VACUUMSCIENCEANDrnⅪHNOH)GY
2010年7、8月 JOURNAL0F
Ag—ZnS纳米复合薄膜的微结构和电学特性研究
宋学萍1t3曹春斌1,2,3孙兆奇1·3。
(1．安徽大学物理与材料科学学院合肥230039；2．安徽农业大学理学院合肥230036；
3．光电信息获取与控制教育部重点实验室合肥230039)
StructuralandElectricalCharacterizationof ZnSNano-Films
Ag-Doped
Song Chunbinl，2”，Sun盈aoqil，3’
Xuepin91一，Cao
(1．Schoolof and
PhysicsMateda／Sdetwe，Anhu／‰毋，哟觎230039，Ch／na；
2．School 23(D36，China；
ofSciences，AnhuiAgriculturalUniw毋，Hefei
and
3．KeyLaboratoryOpCo-ElearordcInformation ManipulationMinistry
of Acquisition ofk洳，Here／230039，Ch／na)
AbstractThe ZnSfilmswere RF on substrates．Theof
As-doped depositedby magnetronsputteringglass impacts
of
the of the the
deposition depositiontime，dosage power，and
conditions，including AS，sputtering pressure，onproperties
fdmswere吖alumed．Themlcmstmctureswerecharacterizedwith diffractionandatomicforce
AS-ZnS X—ray microscopy．
Theresultsshowthatthe andZnSformeddiscrete thatthe contentandfilmthickness af-
AS nano—grains，andAS strongly
also be
fectsitsmicrostructuresandelectrical resultsshowthatlow content for
Ag crystal-
properties．The mayresponsible
lizationand ofZnS
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