亲水性时绝缘子交流污闪模型的影响因素.pdfVIP

高电压技术 第 37卷 第 7期 2011年 7月 31日 1598 HighVoltageEngineering，Vo1．37，No．7，July31，2011 亲水性时绝缘子交流污闪模型的影响因素 徐志钮 ，律方成，刘云鹏，李和明 (华北电力大学河北省输变电设备安全防御重点实验室，保定O71003) 摘 要 ：为了研究亲水性时不同因素对绝缘子交流污闪电压 的影响，在分别使用考虑弧根半径影响和不考虑弧根 半径影响的剩余污层电阻计算公式的基础上 ，用 Obenaus模型计算污 闪电压 ，然后用人工污秽试验结果验证 了该 模型的有效性 。基于该模型分析了亲水性情况下爬 电距离、附盐密度 、等效直径、电弧参数、空气 中弧长和 电弧恢 复条件对模型所得交流污闪电压的影响。结果表明：随着等效直径 的增加污 闪电压呈幂函数下降；随着 电弧参数 A 的增加 ，污闪电压呈幂函数增大 ；随着 电弧参数 n的增加，污闪电压呈线性规律下降，但下降程度很少 ；随着空气 中弧长比例的增加，污闪电压线性下降，但下降程度很少；弧飘使等效泄漏增加时污闪电压随爬 电距离而呈近似线 性增大，否则呈近似线性减少 ；电弧恢复条件对模型算得污闪电压有明显影响，从计算结果上看公式U一1050X／j 具有最高的准确性 。 关键词 ：绝缘子 ；交流 (AC)；污闪电压 ；Obenaus模型；影响因素 ；亲水性 中图分类号 ：TM216；TM855 文献标志码 ：A 文章编号 ：1003—6520(2011)O7—1598—08 InfluencingFactorsofAC PollutionFlashover ModelofHydrophilicInsulator XU Zhi—niu，LU Fang—cheng，IIU Yun—peng，LIHe—m ing (HebeiProvincialKeyLaboratoryofPowerTransmissionEquipmentSecurityDefense， NorthChinaElectricPowerUniversity，Baoding071003，China) Abstract：Toresearchtheinfluencesofvariousreasonsonthealternatingcurrent(AC)pollutionflashovervoltageof hydrophilicinsulator，calculationformulasforresidualpollutionlayerresistanceinconsiderationofarcrootradiusor neglectingofarcrootradiuswereused，andtheObenausmodelwasusedtOcalculatethepollutionflashovervoltage． Moreover，theeffectivenessofthemodelwasconfirmed bytheexperimentalresultsofartificialpollution．M ean while，theinfluencesofthecreepagedistance-saltdepositdensity(SDD)，equivalentdiameter，arcparameter，air arclengthandarcrestorationconditionontheAC pollutionflashovervoltageofhydrophilicinsulatorwerestudied． Theresultsindicatethat：t