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台面型InPInGaAs PIN光伏探测器的p-InP低阻欧姆接触.pdf
第40卷第12期 红外与激光工程 2011年12月
V01．40No．12 Infraredand
Laser Dec．20ll
Engineering
台面型InP／InGaAs
PIN光伏探测器的p-InP
低阻欧姆接触
魏鹏1,2,3朱耀明1,2,3，邓洪海1,2,3，唐恒敬1,2李雪1．-，张永刚4，龚海梅1,2
(1．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083；
2．中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海200083；
3．中国科学院研究生院，北京100049；
4．中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050)
摘
4min的快速退火，获得了欧姆接触，其比接触电阻为7．3x10。5Wcm2。接触电极退火后，采用离子溅射
法淀积加厚电极Cr／Au。利用俄歇电子能谱(AES)进行深度剖面分析，表明Pt层能够相对有效地阻挡
由界面处金属和ImP的化学及其冶金学反应决定，并且少量的h1．Au化合物的形成可能有益于接触
特性的改善。结果表明，采用合适的退火条件可以制备出低阻、表面光滑、可靠性高的欧姆接触。
欧姆接触； 比接触电阻； AES
关键词：传输线模型(TLM)；P．Imp；
中图分类号：TN21 文献标志码：A 文章编号：1007—2276(2011)12—2309—05
Lowresistanceohmiccontactsto ofmesa--isolated
P—InP
InP／InGaAsPIN detectors
photovoltaic
Wei Xuel一，
Pen91，2”，ZhuYaomin91’2…，DengHonghail，2…，Tang
Hengjin91…，Li
Haimeil，2
ZhangYonggan94，Gong
ofTransducer of
(1．State InstituteTechnical
KeyLaboratory Technology，Shanghai Physics，
Chinese of
Academy 200083，China；
Sciences，Shanghai
ofInfrared Materialsand InstituteofTechnical
2．KeyLaboratory Imaging Detectors，Shanghai Physics
Chinese of 200083，China；
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