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在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜.pdf
年第 期 卷
736 2004 6 35
在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜。
1 1 1 1 1 1 2
邢玉梅 陶 凯 俞跃辉 郑志宏 杨文伟 宋朝瑞 沈达身
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 离子束重点实验室 上海
1. 200050
2. 美国阿拉巴马大学 电子与计算机工程系 亨茨维尔 AL 35899 美国
摘 要: 用电子束蒸发氧化铪靶的方法 在 SOI 绝缘体上硅 本实验借助 IBED系统 以SOI材料为衬底 在其顶层硅沉
材料上制备 了氧化铪薄膜 随后在氮气 中进行快速退火 积氧化铪薄膜 通过掠角 射线衍射
X lancin -an le X-ra
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借助掠角 射线衍射 射线光电 射线光电子能谱
600C 300S X GAXRD X diffraction GAXRD X X-ra hotoelectron
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子能谱 高分辨透射电镜 技术分析了样品的 S ectroSco 高分辨透射电镜
XPS HRTEM p py XPS hi h-reSolution tranS-
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微观结构 研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化 结 和扩展电阻探针
miSSion electron microSco e HRTEMp S rea-p
果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构 din reSiStance rofile SRP 技术对样品进行了表征
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