C轴压力下ZnO晶体结构及电子性质的第一性原理研究.pdf

V01．29 第29卷第4期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 No．4 0FATOMICANDMOLECULARPHYSICS 2012年8月 JOURNAL Aug．2012 doi：103969／j．issn．1000。0364．2012．04．022 C轴压力下ZnO晶体结构及电子性质的 第一性原理研究 2 ， ’ 巩纪军h4，曾 敏 秦明辉 赵红波1’2，高兴森1 刘俊明 (1．华南师范大学先进材料研究所。物理与电信工程学院，广州510006I 2．华南师范大学物理与电信工程学院，广州510006i 3．南京大学固体微结构国家实验室，南京210093； 4．兰州理工大学理学院，兰州730050) 摘 要：本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对Zn0晶体在c轴取向压力作用下的晶体 结构、电子结构的变化进行了研究．结果表硬，当压力在o～6GPa区同时，晶格参数呈线牲变化，带隙随压 力增大而增大，显示弹性应变特征；当压力从6GPa增大到10GPa的过程中，晶体结构有了较大变化。出 structure)．伴随 现了介于常压下纤锌矿结构和等静压高压下NaCl结构之间的类石墨结构(Graphitelike 着这一结构相变，Zn0的晶格参数，能隙和态密度等电子结构出现了较大跃变． 关键词：氧化锌；压力；电子结构；第一性原理 中图分类号：TN304．2文献标识码：A 文章编号：1000—0364(2012)04一0682一07 Structureandelectronic ofZnO under propertiescrystal C—axis first pressureby principIesstudy GONG Ji—Junl”，ZENGMinl，QINMing—Huil，ZHAOHon旷B01”， GAo Ju”Min93 xing-senl，匡垂亘垂王西墨固2，LIu (1．1nstituteforAdvancedMateriaIs。Sch00lof andTelecommunications， Physks SouthChinaNormal University，Guangzhou510006，China} of and ChinaNormal 2．SchoolPhysicsTelecommunications，SouthUniversitytGuangzhou510006，China} 3．LaboratoryofS01idState