HID灯镇流器中UniFET II MOSFET的性能和效率.pdf

技 术 专 题 智能电源管理 责任编辑：李健 S p e c i a l R e p o r t HID灯镇流器中UniFET II MOSFET的性 能和效率 Performance and Effectiveness of UniFETTM II MOSFET in HID Lamp Ballast 1 1 2 3 Jae-Eul Yeon Won-Hwa Lee Kyu-Min Cho Hee-Jun Kim 1. 韩国富川市飞兆半导体韩国分公司HVPCIA部门消费电子电源系统团队；2. 韩国富川市柳韩大学信息与通信工程系 3. 韩国安山市汉阳大学电子与计算机工程学院 以进行深入寿命控制 而另一方面 摘要 ： 先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通 制造平面M OSFET只需采用一个外延 电阻和反向恢复性能。 本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM 层即可 从而很容易进行深入寿命控 II MOSFET—具有显著提高的体二极管特性，另外还介绍了其性能和效 制 因此 可大幅提升平面MOSFET 率。 根据寿命控制的集中程度，UniFET II MOSFET可分为普通FET、 的体二极管反向恢复性能 以防出现 FRFET和Ultra FRFET MOSFET，其反向恢复时间分别为传统MOSFET MOSFET故障[8] 的70%、25%和15%左右。为了验证全新MOSFET的性能和效率，用带混 [9- 12 ] 据报道 在先前的操作 中 频逆变器的150 W HID灯镇流器进行了实验。结果证明，两个UniFET II M O SF E T 故障是由双极结型晶体管 MOSFET可取代两个传统MOSFE和四个附加FRD，并且无MOSFET故 障。 (BJ T )和nM OS 的误导通以及反向恢 复模式下体二极管的dv /dt 较高所造 关键词 ： UniFET II；FRFET；Ultra FRFET；MOSFET故障；混频逆变器 成的 这三种类型的M OSFET 故障 和HID镇流器