GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟.pdf

第26卷第4期 半导体学报 V01．26No．4 2005年4月 CHINESEJOURNAL0FSEMICONDUCTORS Apr．，2005 GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的 动力学蒙特卡罗模拟* 何 为 郝智彪 罗 毅 (清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室，北京100084) 摘要：采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究．用衬底 束缚能的表面分布模拟衬底图形，考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响．结果表明，合适的停顿时间使图 形衬底上的量子点分布更趋规则化，对量子点的定位生长有积极的影响． 关键词：动力学蒙特卡罗模拟；量子点；外延生长 PACC：7115Q；8115N 中图分类号：TN304．054文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)04一0707一04 Green函数表示量子点边缘的应力，考察了生长速 1 引言 率、生长温度以及停顿时间对生长结果的影响．邓宁 等人[91引入与量子点大小相关的能量来表示量子点 半导体量子点在纳米电子学、纳米光子学和光 电子学等领域具有相当广泛的应用前景，基于量子 束缚能的分布来表示非平坦的衬底表面．一般在量 点的固态量子器件在量子信息技术中将扮演重要角 子点生长过程结束之后有一个短暂的停顿过程，使 色，如单电子晶体管[¨、量子存储器[2]以及应用于保 吸附原子在表面进行适度的迁移、结合并形成量子 密通信的单光子源[3]等．这些器件应用的关键之一 点[11|．然而，对于非平坦衬底上量子点生长后的停 是对量子点的尺寸和位置进行有效控制．目前，实现 顿过程的研究，还未见报道．本文采用KMC方法对 量子点定位生长的手段很多[4~7]，其本质都是改变非平坦GaAs图形衬底上InAs量子点生长后的停 衬底生长表面某些位置的化学势，使原子在生长过 顿过程进行模拟，研究了停顿时间对量子点定位生 程中更容易吸附在这些位置上，从而达到对量子点 长的影响． 位置的控制．其中，图形衬底上生长量子点的方法由 于其引入杂质少、可控性好而引起了人们越来越多 2动力学蒙特卡罗模拟的计算模型 的关注‘引． MonteCarlo， 动力学蒙特卡罗方法(Kinetic on KMC)是一种用于模拟表面生长随时间变化过程的 动力学蒙特卡罗方法认为衬底是SOS(Soiid 方法，已经被用于InAs／GaAs以及Ge／Si量子点等Solid)简单立方密排结构，没有缺陷和位错，通过模 外延生长过程的研究，取得了与实际情况相符的结 拟原子在表面的吸附和迁移过程来获得吸附原子在 果．用KMC方法研究外延生长的关键在于找到合 表面的位置信息．在KMC模拟中，一个原子的迁移 适的物理模型，既能够抽象各种实际生长条件，又能 速率被表征为它迁移到一个相邻位置的几率，几率 够方便数学表达，适于模拟．如Meixner等人[8]引入越大，迁移到相邻位置的次数越多，迁移速率越大． *国家自然科学基金资助项目(批准号60390074) 何为男，硕士研究生，主要研究方向为Ⅲ一V族化合物分子束外延． 郝智彪男，讲师，主要从事分子束外延生长以及新型器件的研究．Email：zbhao@mail．tsinghua．edu．cn 2004一04—26收到，2004一07—19定稿