钪(Ⅲ)、锆(Ⅳ)络合物在碳糊电极上的吸附伏安法及研究.pdf

摘 要 本文在查阅火量文献的基础上，首次提出了活泼金属离子络 合物在碳糊电极上的吸附伏安法研究；详细研究了钪、锆与茴素 S(ARS)络合物在碳糊电极上的伏安行为。 1全文共分五章： 第一章研究了铳—_ARs络合物在碳糊电极上的吸附伏安行为以 及测定钪的最佳实验条件，在pH3．8的邻苯二甲酸氢钾+乙酸缓冲液 111，Sc(III)一ARS络合物在碳糊电极上产生。灵敏的溶出峰，峰电位为 9 一0．58V，络合物的二阶导数溶划l挚高与钪的浓度在1．Oxl0 7 1．Oxl0 mol／L范围内呈线形关系，检出下限达6．Oxl0…mol／L，延 艮富集时问，榆出限可以进一步降低。探讨了该络合物吸附伏安法 的机弹；验证了该络合物中各组分的摩尔比；方法成功地成』lJ]-qi；1‘ 石lIm数量钪的测定。 笫二章详细研究了钪一钙一ARS异多核络合物在碳糊电极卜的伏 安行为以及测定钪的最佳实验条件，并探讨了该络合物吸附伏安法 的机理，确定了该络合物中各组份的摩尔比。络合物的二阶导数溶 8 10-9～6．0×10 川唯高与钪的浓度在1．0X mol／L范尉内呈线性关 系，榆{II下限达8．Oxl0_‘‰1／L。方法用于矿石中微量钪的测定， 结果满意。 第三章首次将碳糊电极应用于锆一ARS络合物伏安行为13901。 究： Zr(Iv)矗A路络合物在碳 在ptt4．8邻苯二甲酸氢钾+乙酸缓冲液rfjI 61毕高 糊电极盯r生一灵敏的溶出峰，峰1乜位为一O．51V，络合物的溶；|1 10~4．OxlO。mol／L范围内呈线形关系，榆…卜 与锆f内浓度在2．OxlO 10mol／L。探讨r该络合物吸刚伏安法的机理；确证Ir 限达1．OxlO 该络合物中各组份的摩尔比。方法成功地应用于矿石中微量锆的测 定。 ． 第四章将碳糊E乜极应用于锆一钙一ARS异多核络合物伏安行为的 研究，确定测量锆的最佳底液组成为0．096mol／1．氨基乙酸、 0．036 mol／Lca2’和 mol／L邻苯二甲酸氢钾(p113．8)，8．0×10。4 5 2．0X10 mol几蔺素S：峰电位在一0．50V(VSScE)。络合物的 m～2．O×10 溶}Ⅲ辇高与锆的浓度在1．O×10 7mol／L范嗣内呈线形关 系，检“I下限达4．OxlO叫1mol／L。探讨了该异多核络合物1吸刚伏安 法的机理：进一步确证了该异多核络合物小符组份的摩尔比。方法 肘丁^矿石-f1微量锆的测定，结果满意。 。 笫五章通过前面四个体系的详细研究。得出几点经验；fI|总结了1 关键词：钪、锆、茜素s、异多核络合物、吸附伏安法、碳糊f匕极 Abstract lnthiS newmethodis descl‘ibed forthe paper,a firstly determination of onthe sc(n0，Zr(IV)，Hf(IV)，basedadsol’ptive