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等离子体处理聚乙烯表面官能团的研究.pdf

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第 26 卷  第 6 期 膜  科  学  与  技  术 Vol. 26  No. 6 2006 年 12 月 MEMBRAN E SCIENCE AND TECHNOLO GY Dec. 2006 文章编号 :1007 - 8924 2006 06 - 0088 - 04 研究简报 等离子体处理聚乙烯表面官能团的研究 赵国魏 , 董 涛 , 陈亚芍 陕西师范大学 大分子科学陕西省重点实验室 , 西安 710062 摘 要 : 利用 Ar 等离子体射频放电 ,在不同功率和时间下处理高密聚乙烯 HDPE ,通过 X 光电子能谱 XPS 及化学诱导法进行测定和分析处理后样品表面引入含氧基团的性质. 结果 表明 : Ar 等离子体处理后表面存在含氧基团 ,且随着表面深度不同 ,氧含量有所变化 ,在近表 面氧含量较高. 进一步分析表明 :经 Ar 等离子体处理的高密聚乙烯表面羟基 —OH 和羧基 —COOH 均存在 ,且表面 —COOH 的含量大于 —OH 的含量. 关键词 : 高密聚乙烯 ; X 光电子能谱 ; 化学诱导法 ; 羧基 ; 羟基 中图分类号: TQ028. 8   文献标识码 : A 近年来 ,等离子体处理不仅用于改进各种材料 器中清洗 30 min ,50 ℃下烘箱干燥 30 min ;Ar 纯度 的粘接性能[1 ] ,而且通过插入化学功能基团在材料 为 99. 999 % , 等离子体处理在自制的反应器中进 表面引入新的官能团 , 以改变表面化学反应性 行 ,采用外电极、13. 56 MHz 射频功率发生器进行 质[2 ,3 ] . 由于所采用等离子体处理气体不同,可引起 流动式射频放电 ,气体压力恒定在 13 Pa ,改变放电 不同的表面改性. 对聚乙烯的等离子体处理已进行 功率 10~80 W ,放电时间 10~120 s. XPS 测试采用 了许多研究 ,例如 , Yao 等[4 ] 报道了 Ar , H2 ,O2 ,N2 岛津 750 型 X 光电子能谱仪 , 光电子脱出角采用 和空气等离子体处理高密聚乙烯后其表面交联性能 90°和 30°. 化学诱导反应 :对表面羟基检定 ,采用无 [5 ] [5 ] 的不同;Morra 等 报道了 O 等离子体处理低密和 水三氟乙酸 CF COOH , TFAA 蒸气法标定 ;对 2 3 高密聚乙烯的化学反应性能 ; 我们[6 ] 报道了 Ar 等 表面羧基检定 ,采用氢氧化钠的异丙醇稀溶液进行 离子体处理高密、低密和线型低密聚乙烯后其表面 标定[7 ] . 的润湿性能. 由于等离子体作用过程的复杂性,等离 2  结果与讨论 子体与其表面之间的相互作用机理还有待于研究 , 尤其是等离子体处理后表面官能团的生成量仍然难 2 . 1  不同功率及时间下的等离子体处理 于控制. 基于以上问题 ,我们进一步利用化学诱导法 首先在一定条件下对 HDPE 表面进行 Ar 等离 与 X 光电子能谱分析相结合 ,从半定量角度探讨了 子体处理. 在不同等离子体处理时间下 HDPE 的 Ar 等离子体处理后 HDPE 表面所含羧基和羟基的 XPS 光谱如图 1 所示 图中未进行碳污染峰校正 . 量 , 以及不同等离子体处理功率及处理时间下表面 从图 1 看出 ,O ,N 和 C 元素被检测出 ,从 O1s 峰的 所含羧基和羟基量的变化. 位置和半峰宽得出 ,表面存在不同种类的氧碳结合 形式 ;从 N1s 峰强度看出只存在微量的氮 ;C1s 能谱 1  实验部分 图上 , C —C 结合能在 285 eV 左右 ,与图中 a 未处 HDPE 厚度 1. 5 mm ,用二氯甲烷在超音波清洗 理情况进行比较看出 ,在高能量一侧相伴有碳氧结 收稿日期 : 2005 - 03 - 23 ; 修改稿收到日期 : 2005 - 08 - 04 基金项目 : 教育部留学回国人员科研基金资助课题 作者简介 : 赵国魏 1979 - , 女 , 内蒙古呼伦贝尔盟人, 硕士 , 从事材料表面化学. 通讯联系人〈029 - 座机电话号码〉 ? 1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 第 6 期 赵国魏等 : 等离子体处理聚乙烯表面官能团的研究 ·89 · 合能峰存在 , 即 C —O 结合能向高能量方向发生化 官能团在外表面的含量大于其内表面. 同样 ,对于不 学位移 ,直到结合能约为 292 eV , 由此可推知:这些 同处理功率下的 HD

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