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通过3He(d,p)4He核反应研究He在Ti3SiC2中的扩散行为.pdf
Huaxue
物理化学学报(Wuli Xuebao)
Acta尸矗声．一C％蛔。Sin．2015，(Suppl．)，54—58 May
[Article] doi：10．3866／PKU．WHXB2014Acl5
戚强L4 HUANG 张海斌3 施立群L+
Mengbin92
(1复旦大学现代物理研究所，应用离子束教育部重点实验室，上海200433；2纽约州立大学奥尔巴尼分校，纳米科学
与工程学院离子束实验室，奥尔巴尼12203，纽约，美国；3中国工程物理研究院核物理与化学研究所，四川绵阳610003；
4中国科学院等离子体物理研究所，合肥230031)
摘要：对于未来聚变和裂变能源装置。第一壁／包层的结构材料处于严酷的使用环境．其中嬗变产物氢氦对结
构材料的作用是所关心的重要问题之一．Ti。SiC。是一种新型的高性能综合性陶瓷材料——金属陶瓷材料，具
He在Ti。SiCz中的
有十分优异的耐高温抗辐照特性．本文通过3He(d，P)4He核反应方法获得了400至1100。C
扩散系数以及氦在材料中的深度分布，并对氦的扩散行为进行了讨论．发现氦在材料中的演化和内应力的共同
作用导致了氦分布的变化，
关键词：TisSiC：MAX相；氦扩散行为：3He(d，P)4He核反应：氦泡：辐照损伤
中图分类号：0641：0571．33
ofHeliumDiffusionBehaviorin
Ti3SiC2
Investigation by
NuclearReaction
3He(d，P)4He
r4 HUANG SHI r+
QI ZHANGHal-Bin3 Li-Qunl
Qian91 Mengbin92
Ion Beam
Beam 200433，PR．China；210n
(1Applied PhysicsLaboratory,InstituteofModernPhysics，FudanUniversity,Shanghai
Scienceand 12203，
Laboratory,StateUniversityofNew场砍(SUNr)atCollegeofNanoscale Engineering,Albany
Albany＆SUNY
New 31nstttute and 610003，
York．U．s．A．t ofNuclearP坶sicsChemistry,ChineseAcademyofEngineeringPhysics,Mianyang
SichuanProvince,P 230031，P
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