石墨烯单层条中的拓扑绝缘体输运性质的研究.pdfVIP

目录 中文摘要………………………．……………………．．……．．3 英文摘要………………．……………………………．………5 1．第一章：引言 1．1石墨烯电子学的背景………………………………………．．7 1．2石墨烯电子学的发展与现状…………………………………．．9 1．3二维拓扑绝缘体……………………………………………l1 2．第二章：输运理论与计算框架 2．1 2．2微分电导计算方法……………………………………．．…．14 2．3表面格林函数的计算……………………………．…………．17 P-N结模型的计算结果 3．Graphene 3．1 P-N结模型…………………………………………20 Graphene 3．2量子自旋霍尔效应…………………………………………．23 3．3二维石墨烯带的相变……………………………．……………25 3．4小结．．．．………．…………………．．…………．…………30 参考文献……………………………………………………．．32 2 万方数据 中文摘要 Y2 7011 06 本论文详细阐述了基于第一性原理的量子输运问题的理论计算方法，并以此为基础研 究了分子电子学中分子器件输运的二维石墨烯单层P-N结的拓扑绝缘体输运性质。这 上，保证了分子尺度下输运问题计算的高度严格性和可靠性，能够拓展应用到各种器 件模型，并能考虑次近邻、三近邻相互作用以及自旋一轨道相互作用与Rashba效应。 由于采用了新的方法计算格林函数及自能，避免了长时间的自洽性迭代运算，在处理 量子器件的输运问题上简便高效。通过量子器件的输运计算，可以在理论上充分揭示 分子器件的电学性质，更深入地理解各种量子效应的发生机制，无论对于分子器件与 电路的设计，还是对于输运理论的基础研究，都无疑具有重要的意义与参考价值。在 Nanoribbon 本论文中，我们以Graphene P-N结为模型，分别考虑了三近邻相互作用与 自旋．轨道相互作用、Rashba效应，计算了该模型在不同电势下的电导曲线，并通过 Nanoribbon 计算相图详细研究了Graphene P-N结在绝缘态、导电态与QSH态(量子 Nanofibbon 自旋霍尔效应)的变化规律，揭示了二维Graphene P-N结的拓扑绝缘体特 性。此外，我们利用该计算方法研究了更为复杂的二维石墨烯网格的输运特性，并初 步探讨了未来研究的基本方法和可能性。 本文内容分为以下几个章节： 第一章：介绍石墨烯电子学的背景、发展及现状。 性原理计算的发展作一个简单的回顾和总结，并以此为基础详细阐述计算框架。 Nanofibbon 第三章：引入Graphene P-N结模型，研究其电导曲线及拓扑绝缘体特性。 Nanofibbon 我们对电导曲线的计算说明了二维的Graphene P-N结在无磁场的情况下 也会产生量子自旋霍尔效应，与相关实验有着很好的吻合，计算出的导电性相图也吻 合能带理论的推断。通过分别计入最近邻、次近邻和三近邻相互作用作对比，我们的 计算结果揭示了拓扑绝缘体中的次近邻相互作用对于量子自旋霍尔效应的形成有着 至关重要的作用。 万方数据 关键词：石墨烯条P-N