偏压对Ti-Si-N纳米复合膜结构和性能的影响.pdfVIP

第27卷第4期 沈阳大学学报(自然科学版) V01．27，No．4 201 of Science) 015 5年8月 Journal ShenyangUniversity(Natural Aug．2 文章编号：2095—5456(2015)04—0259—04 偏压对Ti—Si—N纳米复合膜结构和性能的影响 贺春林，王苓飞，高建君，朱跃长，解磊鹏，李 蕊，马国峰，王建明 (沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室，辽-7沈阳110044) 摘 要：以高纯Ti和Si为靶材，在不同偏压下于Ar／Nz气氛中溅射沉积了Ti—Si-N纳米复合膜，采用原 子力显微镜、X射线衍射(Ⅺm)和划痕法研究了复合膜的结构、界面结合力和摩擦系数与偏压的关系．实验 (200)、(111)、(220)和(222)面衍射峰，其中的择优取向为(200)面．在偏压为一150V时，薄膜XRD谱图中出 现TiSi2(311)面衍射峰．发现适当施加负偏压，有利于获得细小、均匀、致密和平整的Ti-Si—N纳米复合膜．在 偏压为一120V时沉积的复合膜组织和性能最好，其表面粗糙度为3．26nm，界面结合强度为53N，平均摩擦 系数为0．11．说明偏压对磁控溅射Ti-Si—N纳米复合膜的微结构和性能有明显影响． 关键词：Ti—Si-N；磁控共溅射；纳米复合薄膜；微结构；偏压；性能 321 中图分类号：TB79；TB34；TB 文献标志码：A TiN薄膜因具有高硬度、良好的耐磨性和化 出硬度超过40GPa以上的高硬Ti—Si—N纳米复 学稳定性等优点，在工模具、量具及机械零部件上 合薄膜Es]18，但迄今尚无人能重复出Veprek等得 得到了广泛应用L1]．但TiN的抗高温氧化性能不 到的超高硬度结果．目前，Ti—Si—N纳米复合薄膜 是很理想，温度高于500oC时，就会因氧化而生 的制备工艺优化和结构表征仍是研究热点．本研 成TiO：，导致部件使用寿命急剧下降，从而限制 究以高纯Ti和Si为靶材，在不同偏压下于Ar／ 了此类薄膜的应用．多年来，人们采用“合金化” Nz气氛中磁控共溅射了Ti—Si—N纳米复合膜，系 (如添加Al、Cr、C等)、纳米多层膜和纳米复合膜 统研究了偏压对膜层结构、界面结合强度和摩擦 等方法来进一步改善这些薄膜性能．1998年，系数的影响． Veprek[2]提出，采用界面相(如Si。N。)分隔并包 1 实验材料与方法 裹陶瓷纳米晶(如TiN，尺寸小于10nm)形成De- MeN／Si。N。纳米晶复合薄膜，是一条通过合理设 mm× 试样基体采用304不锈钢，尺寸为25 计材料成分和微结构获得高硬度薄膜的有效途 25ram×2 径．2000年，Veprek等[3]在Ti—Si—N复合薄膜中 级研磨后再用1,um金刚石研磨膏仔细抛光，然 获得了80～i05GPa的超高硬度，这一接近或超 后用丙酮和酒精依次超声波清洗除油，冷风吹干 过金刚石薄膜硬度(70～100GPa)的结果令人惊后装入真空室准备镀膜．磁控溅射设备采用中国 讶．随后，Ti—Si—N膜以其高硬度、耐磨性、优良的科学院沈阳科学仪器有限公司生产的JGP450三 热稳定性和化学稳定性吸引了材料研究者的广泛 靶磁控溅射镀膜系统．靶材为直径60mm的高纯 关注[4]．人们就磁控溅射工艺参数如基体偏 压[5’6]、氮气分压[7曲]、基体温度[10]和硅靶功率等