SiC材料n型掺杂的第一性原理的研究.pdfVIP

摘要 摘要 SiC作为第三代半导体材料，有着许多优良的特性，因此它是目前研究的热 点之一。其具有优良的热稳定性、化学稳定性和较高电子迁移速率，所以在大 功率，耐高温、高频和抗辐射等电子器件方面有广阔的应用前景。近年来，大 量的理论和实验研究表明碳化硅材料可以通过掺杂而改变性质，禁带宽度也会 发生改变，这将影响用碳化硅材料所制成的光电子器件的性能。随着计算技术 的飞速发展，通过理论计算研究半导体材料的性能已成为一个重要的领域。本 文主要采用第一性原理的方法来研究n型掺杂对4H．SiC的电子结构的影响。主 要工作如下： 首先，陈述本课题的研究背景，并提出所作研究的意义。简单介绍了SiC的 结构、性能和研究现状。 其次，简述第一性原理研究的基本方法及其理论发展过程，并介绍了所使用 的计算软件包CASTEP的特点。 再次，介绍了碳化硅材料的理论模型、计算方法以及结果的分析方法。 最后，系统计算了4H．SiC的本征态电子结构和用N、P和As分别掺杂后的 电子结构，包括能带结构，态密度。结果表明，4H．SiC是一种间接半导体材料。 掺杂后，禁带宽度变化趋势不同，对于N掺杂，禁带宽度随着掺杂浓度增大而 增大；而对于P和As的掺杂则是随着浓度增加减小；对于相同的掺杂浓度，不 同掺杂元素掺杂后的禁带宽度依次是，掺N大于掺P大于掺As。并且也结合分 波态密度的分析，从微观上给出禁带宽度变化的理论解释。 关键词：4H．SiC掺杂CASTEP第一性原理电子结构 Abstract Abstract Asa third ofsemiconductor has excellent generation material，SiCmany ithasbeenone ofthehot ofitsexcellent performance，SO study spots．Because thermal and electron hasbroad stability,chemicalstability mobilityrate，it high in andradiation applicationprospectshigh—power,hightemperature，high-frequency andotherelectronicdevices．Inrecent numberoftheoreticaland years，alarge be thatthe ofSiCmaterialsCan controlled experimentalstudyproved properties the of natureofthebandwillbe andit throughincorporationimpurity,the gap change the of whicharemadesilicon willaffect devices of performanceoptoelectronic the of