n掺杂锐钛tio2可见光催化活性的第一性原理研究.pdfVIP

摘 要 随着计算机科学的迅猛发展和量子化学算法的不断改进，材料计算在物理研究中占 有越来越重要的位置。材料计算不仅可以用来解释实验现象，更为重要的是还可以预测 材料的性能以开发出新型功能材料。近年来，N 掺杂TiO2 材料由于可显著提高可见光 催化活性而备受关注；然而目前人们对其可见光催化活性机理的认识尚不统一，其微观 电子结构性质尚需进一步借助于当前的计算模拟技术进行研究。为此本论文采用第一性 原理方法计算了N 掺杂TiO2 各体系的电子结构，在此基础上对其电子结构变化的原因 和可见光催化活性进行了深入的分析和讨论。 主要内容如下： 第一章主要介绍了有关二氧化钛的一些基本情况。二氧化钛因具有较好的稳定性、 无毒、廉价和光催化活性高等优点而成为当前实验和理论的一个重要研究对象。我们首 先简单介绍了TiO2 半导体的光催化基本原理和主要用途；接着简述了实验和理论两方 面对TiO2 进行掺杂改性研究的一些方法；然后着重介绍了N 掺杂 TiO2 光催化剂的研 究进展和目前存在的主要问题。最后针对目前存在的主要问题，提出本论文的研究意义 和主要研究内容。 第二章在简单回顾材料计算科学和量子化学发展的基础上，依次详细介绍了密度泛 函理论方法的理论基础和几种常用的交换关联能泛函；最后针对本文所使用的 Castep 模拟软件进行了简单的介绍。 第三章采用基于密度泛函理论的自旋极化平面波计算方法，研究了锐钛矿TiO2 及 N 掺杂TiO2 的电子结构，分析了其可见光催化活性提高的原因。本文的计算数据表明， 与纯TiO2 的相比，N 掺杂并未改变体系导带底的位置而使其价带顶升高了0.272 eV ， 且在略高于价带顶的带隙处引进由N 2p 、O 2p 和 Ti 3d 态组成的带间隙态。这三个态 的共同作用使得受主态能级展宽增大和带间隙电子态在实空间分布上表现出既有局域 性又有离域性的特点。Mulliken 集居数分析和差电子密度分析揭示了N 掺杂 TiO2 电 子结构变化的原因：一方面由于N 比O 少一个电子使得单一N 掺杂TiO2 超胞体系少 一个电子，在体系中引进受主态； 另一方面N 取代晶格O 掺杂后，N 、O 电负性差 导致在体系中形成相对较强的N-Ti 共价键，受此相对较强共价电子云的影响体系电子 I 结构发生了变化。价带的上移和扩展带隙态提高了可见光催化活性，较好的解释了实 验现象。 第四章通过对三类模型的计算，系统研究了氧空位对N 掺杂TiO2 体系电子结构及 光催化活性的影响。考虑到氧空位和N 杂质间的相互作用，我们分别采用两种方法对这 三类体系的电子结构性质进行计算：即对含施主态和不含施主态的体系分别采用 DFT+ U 方法和标准DFT 方法。含氧空位TiO2 的计算结果显示：氧空位在带隙中引进 了深施主能级，该深施主电子态在实空间分布上具有较强的局域特性。一个氧空位与一 个近邻N 共存体系的计算结果表明，在带隙中出现两个局域态密度峰，其中一个峰位于 价带顶附近，另一个则位于距价带顶约 1 eV 处。氧空位与两个近邻N 共存体系的计算 数据显示，当两个NTi3 单元不在同一平面时，价带顶向高能端移动了0.18 eV ，当两个 NTi3 单元在同一平面时，在近邻价带顶之上出现局域态密度峰。基于以上各体系的电子 结构性质，分别对每个体系电子结构改变的原因展开了较深入的分析；最后对各体系的 可见光光催化活性进行了简单的讨论。 第五章应用超软赝势自旋极化平面波方法，研究了H 对N 掺杂TiO2 体系的影响。 计算结果显示H 与N 结合可以改善N 掺杂TiO2 体系的稳