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沉积气压对ZnO薄膜的结构与性能影响 中文摘要 中文摘要 ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有较高的激子束缚能(60eV)，即使 在室温条件下激子也不会分解，具有多种用途，因此近年来对ZnO基半导体材料的 研究越来越为人们所重视，为了研究沉积气压对磁控溅射制备Zno薄膜的结构与性能 (11 采用X射线衍射(xIm)、扫描电镜(SEM)、紫外．可见分光光度计等分析测试手段， 研究了样品的表面形貌、晶体结构、光学学性能等。重点研究了不同的沉积气压对 ZnO薄膜结构和光学性质的影响。 结果如下： 1 一．采用CS．400型射频磁控溅射仪在Si(11)和石英基底上成功的制备了ZnO薄 膜，对不同沉积气压下的ZnO膜进行了结构和光学性质的研究。XRD和SEM测试结果 显示了在合适的沉积气压(2．0Pa)下，制备出结晶良好，具有良好C轴择优取向的ZnO 膜，随着沉积气压的上升，晶粒尺寸先变大再变小，结晶质量先变好再变差，同时通 过计算发现薄膜的晶格常数C也随之增大，薄膜的(002)峰位向小角方向偏移。在ZnO 薄膜的透射谱研