磁控溅射t2o5k薄膜及其c-v与i-v特性研究.pdfVIP

Y1 磁控溅射Ta205高k薄膜及其C．V与I．V特性研究 摘要 超大规模集成电路的迅速发展，导致器件的特征尺寸在不断缩短，当其特征尺寸 层使器件功耗大幅增加以及致使栅极电压控制沟道能力减小。保持等效氧化层厚度不 变，利用高k材料代替传统栅介质，可以通过增加介质层的物理厚度大大降低直接隧 穿效应，提高器件的稳定性。因此寻找新型高k栅介质材料已成为国际前沿性的研究 课题。在目前研究的高k栅介质材料中，Ta：0。薄膜因其介电常数(K～25)较高，以及 与传统Si工艺相兼容等突出优点，被看作是新一代动态随机存储器(DRAM)电容元件 材料中很有希望的替代品之一。因此，对Ta。O。薄膜的制备与性能进行研究具有很强 的应用背景并已引起广泛关注。 本文采用射频溅射方法制备Ta。0。栅介质薄膜，深入研究了退火温度以及氧氩流 量比对栅介质薄膜物性及电学性能的影响，并分析了其漏电流机制。 本论文主要的研究内容如下： 1．研究了不同退火温度对Ta：O。栅介质电学性质的影响。结果表明，薄膜在700 ℃开始结晶。而400℃薄膜的介电常数最大，这是因为退火温度对介电常数的影响主 要有两个反面，一方面随着退火温度的提高，薄膜处于从非晶转换为晶体的过程中， 晶化程度在升