稀磁半导体道结ganmnainganmn电导的第一性原理研究.pdfVIP

摘要 摘要 GaN是一种性能优良的III-V族宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体 材料的典型代表，其研究和应用备受瞩目。基于GaN体系掺杂磁性杂质形成的稀 磁半导体(DMS)由于其具有高于室温的居里温度且具有铁磁性近年来备受人们的 关注。为了便于应用，材料可以制成稀磁半导体隧道结的形式。 何结构、电子结构及电导特性。具体的研究结果如下： 旋向上的带中Mn杂质带穿越费米面，自旋向下的能带未穿越费米面。表明Mn 掺杂的GaN显示出半金属性，适合于自旋注入。 究，结果表明电导随势垒层的厚度增加而降低。 置的关系研究，表明Mn原子掺杂在界面比远离界面时的电导大。这是由于Mn 原子掺杂在界面时不仅有相干隧穿，共振隧穿也较明显，且共振隧穿效应也随势 垒层厚度的增加而减弱。 度的关系研究，表明稀磁半导体隧道结的电导随杂质Mn原子的浓度降低而降低。 关键词：稀磁半导体，稀磁半导体隧道结，GaN，电导，第一性原理计算 Abstr磊f —————————————————————————————————————————————————————————————一一_