ⅱ-ⅵ族半体复杂纳米结构的液相法合成及其相关物性研究.pdf

内容摘要 lI-v l族半导体复杂纳米结构的液相法合成 及其相关物性研究 内容摘要 II-VI族化合物是一类重要的直接带隙半导体材料，具有独特的光学特性和其它重 要的物理化学性质。发展简单可靠的生长方法，合成品质优良的II-VI族半导体复杂纳 米结构，一直是人们面临的挑战和追求的目标。本文开展了ZnS、ZnO复杂纳米结构的 液相法合成工作，着重于参数的优化、结构形态的演化、生长机理的揭示以及相关物性 方面的探索。主要创新性结果如下： 1．发展了简单的无模板溶剂热合成技术，制备了平方厘米尺度面积、高度有序的 ZnS纳米带阵列；提出并证实了生长速率控制／oH一辅助的择优生长模型，揭示 了纳米带阵列的形成过程；首次报道了ZnS纳米带阵列具有的低阈值开关电压 (3．8 域潜在的应用前景。 2．提出了基于氧化锌颗粒催化诱导的溶剂热合成策略，获得了大面积、分布密度 的空心结构形成机制；场发射测试结果表明，这种ZnS纳米复杂结构阵列具有 低阈值的开关电压(1．3 104)，是一种性 V／Itm)和极高的场致增强因子(7．46x 能优异的场发射材料。 3．设计了一个基于水辅助调节乙二胺模板的二元液相体系，系统研究了乙二胺 ／ZnS杂化体和ZnS纳米结构的形态演化与控制，提出了乙二胺模板弱化的模 型，揭示了形态和对应的光学性能的可控性。 4．基于一种方法简单、条件温和的溶剂热技术，获得了蜂窝状ZnO微／纳复杂分 级结构；系统研究了结构的形成及参数的优化，提出并证实了“蜂窝结构的 两步生长模型；发现这种蜂窝状微／纳结构ZnO具有很好的光催化特性。 关键词：II-vI族半导体复杂纳米结构，液相法合成，场发射，光学性能，光催化 ChemicalSolution—Phase and SynthesisPhysicalProperty Studiesof II—Vl Complex—NanOstructured MateriaIS Mater FangLu(CondensedPhysics) Cai SupervisedbyPro仁Dr．Weiping ABSTRACT II—VI isan ofsemiconductors谢nldirectband compoundimportantfamily gaps，which andother andchemical isstilla displayuniqueopticalproperties physical properties．It andthusagoal to andreliable challenge pursuedbypeopledevelopesimple synthesis the with met