tio_2膜的制备及特性表征.pdfVIP

摘 要 Ti02半导体由于其优越的气敏、湿敏、光催化、光伏特性，自洁净等多种功 能，在T业应用领域中显示诱人的前景。Ti02薄膜气敏元件具有性能‘致性好， 易于集成化等优点，一直受到人们的广泛关注。发展Ti02薄膜传感器，首要问 题是了解和改善TiO：薄膜的微观结构和性能。本实验是采用磁控溅射方法，存 不同的温度下制备了Ti02薄膜，并对薄膜进行了不同温度和时间的退火处理， 薄膜的表面形貌和组成结构进行了分析，结果如下： (I)溅射工艺条件与薄膜沉积速度的关系表明：采用I．2Pa工作气压，180w 的射频功率Ti02薄膜的沉积速率为40nm／}l，并随射频功率的增加而提高， 呈近似的线性关系，在O．3Pa～1．6Pa气压范同中，氩气压强升高沉积速率 迅速增加，溅射温度提高和退火处理能使薄膜的厚度减小和折射率提高。 (2)常温下制各的Ti02薄膜是无定型的，3000c溅射薄膜表面有致密的晶粒， 热处理温度升高，晶粒变大，晶相开始转化，800。c退火Ti02完全转化 为金红石结构。 (3)没有经过热处理的Ti02薄膜与表面水滴的接触角为64。，经过6500c热 处理后薄膜与水滴的接触角为O。，掺杂sn02对Ti02薄膜的亲水性有所改 善。 关键词：磁控溅射二氧化钛薄膜传感器结构特性亲水性 Abstract 11tanium owneda jn industriaI prospect dioxide(1102) programming becauseOf itseminenlcharacteristicsIn app¨caliOn gas-Sensing， thin f¨m jtsexce¨ent and sensO‘wjth prOpertycOnsjslencyeasyjntegratjon gas someOther mOreandmOrefavOr|tesandatten村0nfromthe advantages，gets thinf．Im the shOuldbe10catedin peOple．TbdeveIOpTi02 gassensOLp¨Ority and jtsmicrOstructureand This underStandin口ameIlOrating prOperties． the thinf¨m in methOd experlmentdepOsitedTi02 bVmagnetrOnsputte—na differentsubsfrate f¨msweretreatedwithdi何诤rent temperature．TheAs—grown andtime．Withthe OfAtOmicFOrce annealjnqtemperalure aDp¨cation Elecl