低维碳氢体的紧束缚理论研究.pdfVIP

中国科学技术大学硕士论文 物理系凝聚态专业陆爱江 摘要 本文介绍了我们对低维碳氢体系进行的理论计算及主要成果。通过对单壁碳纳米管 和金刚烷系列结构及物理性质的研究，我们得到了许多重要的结论。例如．理想单原子空 位缺陷在单壁碳管上不能稳定存在，而是向5-IDB型缺陷转变，且锯齿型管上该种缺陷 的形成能随碳管半径的增大呈现周期性特征；单原子空位缺陷有效地促进了碳管壁上缺 陷附近的氢吸附，使缺陷处氢原子／分子在碳管外壁的吸附成为持续的放热过程：金刚烷 molecularorbital．10west 系列随体系的增大稳定性增强，HOMO—LUMO(highest occupied unoccupied 第一部分是我们对理想单壁碳纳米管进行的紧束缚理论研究。鉴于现有的大量实验 和理论研究结果，结构独特的碳纳米管呈现出良好的力学、热学和电学性能。我们选择 了准确的紧束缚势模型对包含几百个碳原子的碳纳米管进行能量及电子结构等物理性 质的计算研究。 由于实际制备过程中碳纳米管表面会有各种结构缺陷形成，所以对于有缺陷的碳管 进行研究更具有实际的意义。在各种本征缺陷中，单原子空位缺陷在碳纳米管上能否稳 定存在是一个具有争议性的问题。于是我们对一系列非手性碳纳米管上单原子空位缺陷 的优化结构和形成能进行了详细的研究，得到了理想单原子空位缺陷在碳管半径较小 (小于1纳米)时不能稳定存在，而是自发地向5-1DB型缺陷转变的结论。而这种由一 个碳的五环与一个具有悬挂键的两配位碳原子构成的结构缺陷的形成能随碳管半径的 增大逐渐增加。特别地，在锯齿型碳纳米管系列中，缺陷形成能曲线在上升的同时呈现 出周期性，很好地反映出了碳管金属性与非金属性的不同。也就是通过碳管表面缺陷的 形成反映了碳管的本征电学性质。对于有单原子空位缺陷的碳管电子态密度的研究进一 步表明，在费米能级上方0．2．0．5电子伏的位置有局域的缺陷态形成，预示着缺陷的形 成对碳管电学性质可能造成一定程度的影响。 5-1DB型缺陷保留有一个碳的悬挂键，因而具有很高的活性，进而可能会影响碳管 表面缺陷附近氢吸附的行为。理想完美碳纳米管表面碳的类sp2杂化决定了氢分子在碳 管外表面发生分解吸附，需要克服一定的能量势垒。而单原子空位缺陷的形成使氢分子 ／原子在缺陷附近的吸附成为持续的放热过程，通过吸附有效地饱和缺陷处的悬挂键，从 而降低了体系的能量。但是，由于需要克服一个很高的能量势垒，这些吸附在缺陷处的 中国科学技术大学硕士论文 物理系凝聚态专业陆爱江 氢几乎不可能通过单原子空位缺陷造成的孔洞进入碳管空腔。然而当缺陷提供的通道进 一步扩大，比如形成双原子空位缺陷，氢分子I原子在室温下则有可能穿入或穿出碳纳米 管管壁，成为碳管储氢问题中的不利因素。 论文的第二部分是对金刚烷系列分子的物理性质进行第一性原理和紧束缚的理论计 算。由第一性原理计算的结果，我们得到金刚烷分子的稳定性随体系的增大而增强的规 律，而且体系总能量的降低与分子中碳原子个数的增加近似为线性关系。在分子由小到 大，能量不断降低的同时，金刚烷分子的HOMO—LUMO能隙逐渐减小。同时，用紧束 缚方法研究了金刚烷分子的热稳定性，我们发现，随体系增大分子的熔点升高，但始终 低于金刚石熔解温度。而这些不同的金刚烷分子可以按照其碳．氢健能变化趋势分为三 类，这恰好对应着分子不同对称性和碳氢比的分类。此外，我们预言了金刚烷分子的振 动频率和金刚烷分子晶体的x射线谱，为进一步的实验提供参考。 中国科学技术大学硕士论文 物理系凝聚态专业陆爱江 Abstract This thesis containsourmainresults obtainedfrom calculations