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化合物半导的正电子寿命谱研究
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化合物半导体缺陷的正电子寿命谱研究
理论物理专业
研究生张伶俐 指导教师邓爱红
正电子湮灭技术是一种研究半导体缺陷的有效方法，尤其是对空位型缺
陷的研究。由于化合物半导体在制备高温、高频、大功率和抗辐射IC器件中
极具潜力，因此人们越来越多的利用正电子湮灭技术对化合物半导体进行缺
陷研究。
本文主要介绍了利用正电子寿命谱技术对化合物半导体的研究，主要包
括三部分内容：
1．介绍了正电子在固体中湮灭的基本理论和几种主要的正电子湮灭技
术．其中着重介绍了正电子寿命谱技术。
2．调试正电子寿命谱仪，标定了仪器的主要参数，并对仪器的稳定性
进行测试。
3．用正电子寿命谱仪对电子辐照前后的氮掺杂的n型6H—SiC进行
20K～300K温度扫描测量。并建立了一个费米能级位置随温度的变化而变化
的正电子捕获模型对测量结果进行解释，对捕获模型的定量描述得到了部分
寿命分量对应的缺陷类型以及部分缺陷能级的位置。
关键词：正电子湮灭；正电子寿命谱；化合物半导体
Positronlifetime ofdefectsin
spectroscopystudy
semiconductors
compound
Major：TheoreticalPhysics
Graduate Li Ai
student：Zhang Supervisor：DengHong
Ling
been usedfor ofdefect
annihilationhas
Positron technique effectivelystudy
insemiconductors．Since
of defects compound
open-volume
particularly
has numerous in
semiconductor hi醢temperature，
potentially applications
in
radiation IC ofdefects
device，the compound
hard，and study
hi【ghpower
hasbeen annihilation
semiconductors technique．
increasingusmgpositron
of lifetime usedfor ofdefectin
Themethod
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