溅射zno膜的制备与性能的研究.pdfVIP

J匕方 交通 大学 4i吐dt毕 ts 论 文 摘要 利用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。该 样品具有C轴择优取向的纤锌矿结构，锌、氧原子的比例接近ZnO 的化学计量比，样品晶粒具有较大的平均尺寸;薄膜样品有较好的微 晶表面;我们得到了不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测 到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰;室温 (300K) 下，PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有 较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜 的受激发射特性。 关键词:Zn0薄膜;受激发射 ;激子;磁控截射 J匕方 3七j劝 人‘Ak ;wdl匕伟 ‘七S仑rI Abstract ZnOthinfilmsweredepositedbymagnetronsputteringonSi02 substrates.X-raydiffractionmeasurementsshowthatallthefilmsare crystallizedinthewurtziteformandpresentapreferredorientation alongthe(002)directionwithalargecrystallitesize.Andthesamples havecomparativelyflatsurface.Thetemperaturedependenceofthe absorptionspectraandthephotoluminescencespectrahasbeenstudied forZnOthinfilm.Theabsorptionofthelongitudinaloptical(LO) phononsandtherfee-excitonhasbeenobservedatroomtemperature. Therfee-excitonemissionhasbeenonlyobservedonPLspectraat room temperature;theresultsindicatethatZnO thinfilmshave excellentqualityandlowdensityofdefects.Thestimulatedemission propertiesofZnOthinfilmshavebeeninvestigated.Whenexcitation intensityisabovethreshold,FWHMofstimulatedemissionpeak increasesandthestimulatedemissionpeakshowsredshiftwith increasingexcitationintensity.Ouranalysisshowsthattheopticalgain isduetoelectron-holeplasmaemission Inshort,withtheabsolutelyC-axisorientedquasi-single-crystal ZnOthinfilms,itisprobabletofabricateUVopticaldevice applications KeyWords:ZuOthinfilm;stimulatedemission;exciton; magnetronsputtering 北 方 交 通 大 学 m 创匕月卜习 论‘ 二丈 第一章 文献综述 1.1引言 随着信息技术的飞速发展，以光电子和微电子为基础的通 信和网络技术己成为高新技术的核心。半导体擞光器作为信息 技术的关键部位使得光纤通信得以普及，使得以光盘为主的信 息存储技术及复印技术不断更新换代。对于光盘存储技术，光 盘的信息存储密度反比于激光的波长。因此，为提高光信息存 储密度，应使用波长尽可能短的激光器。 20世纪70年代，曾用波长为623.8nm的氮一氖擞光器作为 光盘机的光源，但这种激光器因体积庞大、需高电压源、寿命 短和不能调制等缺点而很快被波长为780nm的半导体激光器所 代替 。随着分子束外延和 MOCVD 技术的发展，用 AIGainp/InCaP制成的波长为