苯稠杂环并靛蓝类化合物的合成及有机场效应晶体管性能研究.pdfVIP

苯稠杂环并异靛蓝类化合物的合成及有机场效应晶体管性 能研究 摘要 有机半导体的优点主要在于其结构和性能可以通过多种有机合成手段来调 节以及可制备柔性的大面积器件。有机材料可以通过溶液手段进行加工，从而 避免了无机材料所采用的真空沉积、光刻等复杂的加工技术。基于小分子，特 别是n型以及双极性尤其是空气中稳定的有机场效应晶体管(OFET)材料研究面 临巨大挑战。异靛蓝是染料靛蓝的异构体，和吡咯并[3，4一c]OLL咯一1，4．(2E5仞． 二酮(DPP)类似都是缺电子含氮化合物而且都含有两个对称的内酰胺环。经过十 几年的研究，异靛蓝化合物已经成为研究较多、应用较为广泛的有机共轭半导 体材料。 本论文主要研究了基于异靛蓝结构的小分子半导体材料的合成及其在 OFET中的应用研究，包括苯稠杂环并异靛蓝化合物的合成及OFET应用研究， 研究内容通过以下几个方面进行了探讨： 、 苯稠杂环并异靛蓝化合物的合成及OFET性能研究。 合成了含有噻吩和呋喃共轭结构的苯稠杂环并异靛蓝小分子化合物：从经 济易得的化合物出发，经过多步简单反应，最终获得大共轭体系的C20．DBTII 和C20．DBFII。 殊的现象通过理论计算数据作出了合理解释，最终得出结论：C20．DBTII和 C20．DBFII具备了成为良好OFET材料的潜能。 其OFET性能进行了检测，两种化合物分子器件在环境条件下分别表现出良好 cm2、r1 的双极性和n型OFET性质；其中C20-DBFII的电子迁移率高达0．074 S一。这是第一例将长程共轭的异靛蓝小分子衍生物应用于OFET的报道，说明 异靛蓝衍生物不仅在聚合物方面，而且在小分子领域都具有成为优秀有机半导 体的潜能。 新型无氯代苯稠杂环并异靛蓝化合物的合成及光电性能研究。 相比上一章内容，通过更为简单的方法合成无氯代的苯稠杂环并异靛蓝化 合物，并合成了一系列不同烷基取代的衍生物。 万方数据 对其光电性能进行了研究，并对不同烷基取代的化合物的性能进行了对比。 虽然没有进一步构筑OFET器件，但是其具备良好的光电性能，可望成为良好 的OFET材料。 关键词：有机场效应晶体管苯稠杂环异靛蓝旋涂光电性能 II 万方数据 OFET ANDSTUDYON SYNTHESIS BENZENE—FUSED OF PROPERTIES ISOINDIGO HETEROCYCLIC COMPOUNDS ABSTRACT the structures include The of semiconductoradjustable