过渡金属掺zno薄膜的特性研究.pdfVIP

备设备以及制备步骤做了简要描述，并给出了所需的生长参数。论文第三章系统研究了Co 温下显示为铁磁性，在65K以上显示为超顺磁性，通过对场冷和零场冷M．T及M．H曲线 以及场发射扫描电子显微镜照片的分析，将低温(《5K)铁磁态到高温(65K)超顺磁态 的转变归因于薄膜的纳米晶小尺寸效应。 ． 第四章研究了退火对Co掺杂ZnO DMS薄膜性能的影响。结果发现，退火使(002) 晶面的衍射峰向大角度方向偏移，表明退火使得晶粒粒径增大。同时发现退火前薄膜呈超 顺磁性，退火后则为铁磁、超顺磁混合态，表明退火提供了足够能量使得薄膜中一部分磁 半径而表现出铁磁性，但由于另有部分小晶粒仍表现为超顺磁性，故薄膜呈铁磁性与超顺 磁性的混合态。 DMS薄膜性能的影响。300c-与350c条件．V 第五章研究了生长温度对Co掺杂的ZnO 生长的薄膜显示出铁磁性。而生长温度250℃的薄膜在56K以上显示为超顺磁性，XPS测试 ls与Co 发现了0 2p峰位相互作用的迹象，表明薄膜的室温铁磁性与0空位诱发的自旋分 裂杂质能级机制相关。 II Abstract Diluted anewkindofsemiconductorinwhichthe MagneticSemiconductors(DMS)is canbe is cation．Thosecations transition cation original partlyreplacedbymagnetic magnetic raremetalions．Thewidebandof atroom metalionsor ZnO(~3．37eVtemperature)makehigh the based this newmaterial Curie advantage m)ZnODMS(_300K)possible．With temperature devices is to asnew electronics canbegrown magnetid-opticaldevices，spin etc，whichsignificant of circuitanddata the storage． industryintegrate has carriedoutwithdifferentresults．Therestillis AlotofresearchonZnObasedDMSbeen aboutthe mechanismand ofthe ZnObasedDMS． discrepancyferromagnetism stabilityPtype inmicrostr嘣ureofthe as and Thedifference material,suchstructure,defectdistribution, crystal