过渡金属掺β-galt;,2gt;olt;,3gt;的电子结构及光学性质的第一性原理研究.pdfVIP

过渡金属掺杂13I．Ga203的电子结构及光学性质的 第一性原理研究 摘 要 近几年来，在材料科学方面有两个热点领域受到人们的极大关 注。一是稀磁半导体(DMSs)，作为一种新的功能材料，开辟了在半 导体器件中引入自旋自由度的途径，因此显示出巨大的应用潜力。 该领域研究主要的任务之一是寻求居里温度高于室温的DMS材料。 最近的几年里，过渡金属掺杂氧化物尤其是Ti02和ZnO作为室温铁磁 性的DMSs引起人们的关注。另一个是居间半导体带太阳能电池，作 为一种超越单带隙半导体太阳能电池效率的新途径而提出。居间带 材料是指在半导体的价带和导带之间的禁带中存在着一个中间带的 半导体材料。居间带只在某些化合物中形成，比如：Ga4P3M和Ga4 务之一是设计居间带材料。 13-Ga203作为一种宽禁带半导体化合物，具有优异的物理和化学 稳定性，在光电子器件、太阳能电池等方面具有重要的应用。但到 目前为止，它是否可以用于自旋电子学器件和居间带太阳能电池的 材料，尚未被研究过。因此，探讨过渡金属元素掺杂p．Ga203的电 子结构、自旋极化性质和光学性质是一个新的课题。 本论文运用第一性原理密度泛函理论和局域密度近似(LDA) 进行理论研究，计算掺杂的能带结构、自旋总态密度和自旋分态密 度及光学性质，分析每种元素掺杂的能带结构和自旋性质，探讨Ti、 导体材料的可行性。 主要结果和结论如下： (1)基于第一性原理总能量平面波赝势方法，采用广义梯度近 算了单斜晶系结构B-Ga203的总能量及体系平衡时的晶格常 数，讨论了不同交换关联势对晶格常数的影响，分析了体系 平衡时的能带结构、能隙、态密度和分态态密度。与六方晶 系结构0【．Ga203的结果进行对比，能量的计算结果表明单斜 晶系结构p．Ga203较六方晶系结构Q．Ga203更稳定。 (2)基于密度泛函理论的平面波赝势方法和局域密度近似(LDA)， 晶格常数、最低能量、能带结构、白旋态密度进行了计算。 ． 反键态没有被完全占满使得它们显示铁磁性质；由于Fe、Cr 和Ti掺杂p-oa203后反键态或空或被占满使得它们的基态为 ¨ 自旋玻璃态。V和Co掺杂p．Ga203后自旋向上部分和自旋向 下部分相互交叠，因而对总的和分态态密度图中峰值的贡献 是相同的，因此，V和Co掺杂p-Ga203后不显示铁磁性。从 居间带材料用于太阳能电池和其它光电子器件的观点来看， 居间带，且有一定的带宽；而Ti、V和Co掺杂没有孤立的居 间带，这是由于自旋相互作用较弱，杂质能级与导带底部分 杂化引起的。接下来我们对过渡金属掺杂p—Ga203的介电函 数实部和虚部进行了讨论。过渡金属掺杂p-Ga203后带隙明 eV减d,N 显减小，带隙从[3-Ga203的4．8Cr、Fe、Mn、，Ni、 l、2．37、 带结构，为从紫外区域向红外区域光电子器件应用提供了可 能性。能带结构和态密度的这些新的性质说明，过渡金属掺 杂p-Ga20。有可能在一些光电子器件如太阳能电池、自旋电子 学器件中得到新的应用。 关键词：过渡金属掺杂f)-Ga203，能带结构，态密度，自旋极化，居 间带半导体 III THEELECTRONIC FⅡ己STPRllNCⅡ’LESSTUDYON TRANSITION ANDOPTICALPROPEIHlIESoF METALDOPED