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量子点—量阱结构中的振动本征模和电子—声子相互作用
内蒙古大擘硕士学位论文
量子点一量子阱结构中的振动
本征模和电子一声子相互作用
摘要
本文主要研究了球形量子点一量子阱结构(球核／内壳层／外壳层分别非极性
／极性／--=1}极性半导体材料构成)中的振动本征模和电子一声子相互作用的问
题．首先，我们利用连续介质模型讨论了该结构中的体纵光学模和界面光学模．推
导出界面光学模的本征频率，数值计算了znSe(内壳层材料)量子点一量子阱结
构中的界面光学模能量随阱宽的函数关系．计算结果表明：该结构中的界面光学
模本征频率既依赖于阱宽又依赖于角量子数，．每个角量子数，对应两支界面光
学模，并且随阱宽的变窄，其中一支模的本征频率增加而另一支模的本征频率减
式，并在此基础上求出了电子与体纵光学声子和电子与界面光学声子相互作用的
哈密顿量．
关键词：量子点一量子阱结构，振动本征模，电子一声子相互作用
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DirectedProfessor
Xu
by Wang
(Department
ofPhysics，InnerMongolia
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In
this have the
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paper,we eigenmodes interaction
electron-phonon
inaquantum whichisformeda dot of
dot-。quantumwell(QD·-Qw)structurebyquantumcomposed
a semiconductorwitha semiconductor inanother
non-polar coatingpolar sphericalslab，embedded
bulk andtheinterface
non-polarsurroundingmedium．Firstly,thelongitudinal
optical(L0)modes
inthe structuresare withintheframeworkofcontinue
optical(10)modesQD—Qw investigated
medium．The
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