酞菁铜有机膜晶体管器件的研究.pdfVIP

jE墓窑垣盔堂亟±堂焦鲨塞 主 塞擅墨 中文摘要 摘要：在过去几十年的时间里，有机薄膜晶体管(OTFT)因为在有机电子器件如显 示屏、传感器、射频鉴别标签以及智能卡等领域有很高的应用潜力和价值，而日 益受到人们的广泛关注，为了提高其性能，许多新型有机半导体材料被研制，其 中以并五苯和齐聚噻吩为代表的几种有机半导体材料多晶薄膜的迁移率已经达到 1era2／v．s以上，是目前有机薄膜晶体管所使用材料中迁移率最高的，这些高迁移率 有机半导体材料的产生极大的推动了有机薄膜晶体管性能的提高，然而对于OTFT 的器件结构的研究就却相对较少。 因此，本文前四章定位于对有机薄膜晶体管器件结构的研究，第五章制备了 CuPC--OTFT驱动的OLED单像素器件，并测试了其性能。具体内容如下： (1)首先，我们对底栅器件进行了研究。根据半导体与源漏电极之间位置的不 同，分别制作了顶接触和底接触两种结构的底栅器件，采用有机半导体酞菁铜 (CuPC)为有源层，金(Au)为源漏电极，其中顶接触器件的场效应迁移率和阈值电 顶接触构型的器件性能要优于底接触构型，我们研究认为顶接触构型器件与底接 触器件相比，其源漏电极与有机半导体层沟道区的接触面积更大，也就是说顶接 触器件载流子的有效注入区域更大，这就导致其载流子要比底接触器件的更容易 注入，使得顶接触器件的载流子迁移率相对较高，阈值电压则相对较低。 (2)其次，固定半导体与源漏电极之间位置，改变栅极位置，我们又制作了顶 栅顶接触结构器件，其场效应迁移率和阈值电压为0．019cm2／v．s、。5．3V，与底栅器 件相比，顶栅器件的性能要优于底栅器件。通过优化我们得到较好的CuPC单栅器 件结构为顶栅顶接触结构。 (3)为了进一步提高器件性能，制作了双栅结构器件，其场效应迁移率和阈值 电压分别为O．025cm：／v．s、．4．5V。与单栅器件相比，这种双栅器件在更低的操作 电压下获得了更大的输出电流，场效应迁移率更高，而且通过对两个栅压的调节， 对导电沟道实现了更好的控制，所以其在光电子器件及显示领域具有深远的意义。 (4)最后制各了顶接触结构的底栅OTFT，成功驱动了稀土红光OLED器件。 增加，OLED的亮度也在增加，我们制作的OTFT器件展现了良好的驱动能力，这 为以后阵列显示技术的研究以及其未来的产业化打下了坚实的基础。 关键词：酞菁铜；有机薄膜晶体管；结构；性能；驱动技术 分类号：TN27；TN321．5 jE塞窑垣塞堂亟主堂鱼途室 △旦S!基△￡至 ABSTRACT ABSTRACT：Overthe fewdecades thinfilm past time，organic haveattracted concernsduetothe andvaluein widespread highapplicationpotential electronicdevicessuchaS discriminationSOon． organic displays，sensors，radiotag，and For their lotofnew semiconductorshavebeen improvingperformance，aorganic manufactured．The ofthesematerials the of rapid development promotesimprovement OTFTs littlestudieson structure． performance．Oppositely,therearejust improving fo