氮化镓基LED芯片制备研究.pdf

论文摘要 GaN是一种宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3．39eV，具有热 导率高、耐高温、耐酸碱、高硬度等特性，是第三代半导体的代表。这些特性使 GaN基材料广泛地被用于蓝、绿、紫外发光二极管和激光器，以及高温大功率器 件。发光二极管是直接把电能转换成光的半导体器件，同传统的光源相比具有寿 命长、可靠性高、低能耗等特点。 本文研究了GaN的外延生长、LED芯片的制造工艺，获得的主要结果如下： 1、用透明的[TO薄膜代替半透明的Ni／Au金属薄膜作为LED的电流扩展层，制备 了CraN基发光二极管，并研究了它的电学性能和光学性能。在相同的驱动电 流下，rrO，IED具有更高的光输出功率。同时，ITO／LED保持了很好的可靠 性。经过1000d、时的30毫安的驱动电流的老化，ITO／LED的光输出功率仍然 在初始功率的80％以上。 2、应用ICP千法刻蚀和自然光刻技术，粗化G州基LED芯片的透明导电薄膜ITO。 实验结果表明，粗化的ITO表面极大地改善了GaN基LED芯片的出光效率。在 高了70％。 3、在GaN基LED芯片的外延生长时，在P型GaN层中间生长一夹杂层，使其P型 GaN薄膜的表面自然粗化。实验结果表明，P型G-aN表面自然粗化过的LED芯 片的出光效率提高了60％。典型的20mA时的电压值仅仅比传统的LED高了 0．15V。 关键词：6aN：发光二极管、金属有机化学气相沉积、铟锡氧化物、干法刻蚀、 自然光刻、表面租化、 ABSTACTS semiconductorwith Galliumnitride(GaN)isawideband material gap structure．Atroom direct a wurtzitecrystal temperature，its hexagonal third band the ofthe is3．39eV．It’Srepresentation generation gap the thermal followingadvantages：highconductivity、 semiconductor，with materialis insolubleinacidsandbase、hardnessetc．GaN extensively fobricatedLaser green、blue、 diode、Light—emittingdiode(including Uv)and devicesforits high—temperaturepower uniqueproperty． diodeisthesemiconductor turn Light—emitting device，whichdirectly conventional electricalinto with source， energylight．Ascompared