薄膜双栅MOSFET电流模型及温度效应研究.pdf

摘要 I 『IIIIfIll／llI／lllfrlIlllflllf Y2114385 摘要 MOSFET相比，该器件具有很多优越的特性，如较高的跨导、优良的弧闽值斜 率特性、较高的载流子迁移率、短的延迟时问、优良的频率特性、对短沟道效应 的抑制性能、较小的寄生效应、较强的抗辐射能力等。 随着现代科技的发展，高温微电子技术逐渐为该领域重要的d舌沿。主要是 改善半导体器件的高温特性，提高工作温度，以满足高温应JHjf}勺需求。到上个世 纪80年代初，国际上已将高温MOSaa{乍-研究的温度范围扩展到300℃左右。fH 是，目前尚没有关于薄膜双栅MOSFE的温度效应分析，冈此研究该器f牛-rFj温度 效应势在必行。 本文建立了关于薄膜双栅MOSFET的电流模型。对十此模型的建立，是分 段考虑的。薄膜双栅MOSFET与普通体硅MOSFET相比，多了一个下栅极，对 硅膜的控制力更强。 此器件最大的特点在亚阂值区的体反耍!效应，此时载流予 从硅膜体内运输，发挥了硅膜体内载流子迁移军商的特点。凼此在亚阂值区，根 据QM模型，利用反型层质心这一概念，建立了与体硅MOSFET漏源电流相似 的电流公式。而在阈值电压附近，通过对薄膜双栅MOSFET器件建市泊松方f翟， 并利用在硅膜中的等电位近似，得到了该器件闽值电压附件的电流公式。同时， 在硅膜中等电位近似的基础上，将此模型通过跨导最大变化法(也即TC法)来 处理，可得到当栅极电压处于阂值中．压Vth时的硅膜表面势时的精确表达公式。 另外，本文对薄膜双栅MOSFET的具体电学特性进行了仿真验证。将该器 件的电流一电压特性，电子浓度，电子速度，电场电势在亚闽值电压区和饱和区 的情况进行对比分析，从而更深刻的了解薄膜双栅MOSFET该器件的特性。 并同时对薄膜双栅MOSFET器件的温度特性进行了研究，比较了不同温度 下的输出特性，饱和漏电流，阈值电压与温度的变化关系。先对其进行理论上的 计算分析，得到亚阈值电流，阈值电压，饱和电流等随温度的变化关系，并用 Medici模拟仿真进行验证。首先计算出理论结果，在用仿真得出结果跟理论结果 比较，其结果是一致的。 薄膜烈栅MOSFETIU流模型及』C温度效心的州歹￡ 关键词：双栅MOSFET；INfi乳JK；,-IF．N值电流：饱和电流；温度 II abstract Abstract Thin-film MOSFETisanew of double—gate type devicehas excellent with features， ordinaryMOSFET,themany MOSFET．Compared subthreshold suchas transconductance，excellent high slope carrier short time，excellentcharacteristics，the mobility,shortdelay frequency effe