电场下应变GaN%2fAl-%2cx-Ga-%2c1-x-N异质结中的杂质态及其压力效应.pdfVIP

电场下应变GaN／AlxGal_xN异质结中的杂质态及压力效应 摘 要 光电子器件，特别是高亮度的蓝／绿发光二极管和激光二极管等方面应用的快速 发展而受到人们的广泛关注．对应变宽带隙半导体异质结构材料的研究对其物 性改进和理论发展有着重要的实际意义，并可为半导体器件的设计提供指导和 新思路． 本文将简化相干势近似推广到计算三元混晶参数，将改进的LLP变换方法 用于处理电子．声子相互作用，采用变分法研究外电场作用下应变氮化物半导体 实际异质结中施主杂质态的结合能，并讨论压力，屏蔽和电子．声子相互作用对 其的影响．本文的工作分为三个主要部分． 相对于纤锌矿结构，闪锌矿结构氮化物半导体具有高对称性、低声子散射率以 及易于解理等优点，故对其进行深入研究有着重要意义．从结果发现，杂质态结 合能随流体静压力呈近线性变化．电场对杂质态结合能的Stark效应则随杂质位 置不同而呈现谱线蓝、红移动．对于不同的晶体生长方向，杂质态结合能对于电 场、压力和Al组分变化的敏感程度有显著差异． 基于第一部分研究闪锌矿氮化物异质结的基础上，本文的第二部分，将工 作向自由应变纤锌矿氮化物异质结进行扩展，讨论其中的杂质态问题．我们对 效应及压力效应进行了理论计算，并进一步考虑无规相近似