Tb3和Ga3共掺杂的SiO2发光材料的制备表征及发光性质的研究.pdfVIP

第 37 卷 第 2 期 内蒙古师范大学学报 自然科学汉文版 Vol . 37 No . 2 2008 年 3 月 J ournal of Inner Mongolia Normal U niver sit y Nat ural Science Edition Mar . 2008 Tb3 + 和 Ga3 + 共掺杂的 SiO2 发光 材料的制备 、表征及发光性质的研究 王喜贵 , 于振友 , 娜米拉 , 薄素玲 内蒙古师范大学 化学与环境科学学院 , 内蒙古 呼和浩特 0 10022 摘 　要 : 通过溶胶 - 凝胶法制备了 Tb3 + 、Ga3 + 共掺杂的 SiO2 发光材料 ,利用红外光谱 、X 射线衍射仪对其 结构进行表征 ,通过三维 、激发光谱和发射光谱对其发光性质进行分析. 结果表明:经过 700 ℃退火处理后的材 料 ,其红外光谱只显示 O - Si - O 键的存在 ,表明水和有机物已完全除去 ; 用 544 nm 作为监测波长测得的激发光 谱符合三价稀土离子 的激发规律 ; 在 230 nm 光激发下得到 4 条 Tb3 + 的特征发射谱带 , 分别是 467 nm 5 7 5 7 5 7 5 7 5 D3 - F6 ,492 nm D4 - F6 ,544 nm D4 - F5 ,583 nm D4 - F4 ,且来 自 D3 的跃迁在高温时由于交叉弛 豫而猝灭 ; 只掺杂 Ga3 + 的材料在 460 nm 处发出强烈蓝光 , Tb3 + 、Ga3 + 共掺杂 SiO2 材料在 460 nm 处蓝光急剧减 3 + 5 7 5 7 弱 ,而对发光中心 Tb 544 nm 处的 D4 - F5 跃迁和 492 nm 处的 D4 - F6 跃迁均有促进作用. 此外 ,还分别研究 了不同 Ga3 + 或 Tb3 + 的掺入量 、退火温度对材料发光性质的影响. 关键词 : 溶胶凝胶技术 ; Tb3 + 和 Ga3 + 共掺杂 SiO2 材料 ; 发光性质 中图分类号 : O 6 11 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 100 18735 2008 0座机电话号码 无机发光材料在众多领域有着广泛的应用[ 1 ,2 ] ,其中以稀土离子作为发光中心的材料最引人注 目. Tb3 + 是发光性能较好的稀土离子 ,具有特征的绿色光 , 围绕铽合成高效的绿色发光材料 ,一直是人们所感兴趣的 研究课题[3 ,4 ] . Tb3 + 在不同基质和不同配体中的发光性质国内外已有许多报道. 本实验室也对 Tb3 + 掺入 SiO2 材料的发光性质进行过研究[ 5 ,6 ] ,并把硼或铝作为共掺杂元素掺进稀土材料中 ,这都极大的促进了稀土 离子 Tb3 + 在材料中的发光性能[7 ,8 ] . 把与 B 、Al 同一主族的 Ga 元素作为共掺杂离子掺杂在 SiO2 材料中的 [9 ] 研究 , 目前还未见报道. Go dhuli Sinha et al 用溶胶 - 凝胶方法制备了纳米 Ga O SiO 材料 Ga 作为基 2 3 2 3 + 质 ,并对其光学性质进行了研究 ,发现纳米级 Ga O SiO 材料在 300 nm 光激发下发出 Ga 的蓝色荧光. 2 3 2 本文把 Ga3 + 与稀土 Tb3 + 共掺杂到 SiO2 材料中 ,改变材料中 Tb3 + 的化学环境 ,增加 Tb3 + 的 4 f - 4 f 电子能 级间的跃迁几率 ,保持其激发态的长寿命 ,从而改善其发光性能 ,为实际应用提供理论基础. 1 　实验部分 1. 1 　试剂与仪器 - 1 将 Tb O ≥99 . 999 % , 包 头稀 土研 究所 用 8 mol ·L 的 HN O 溶 液 溶解 , 除去硝 酸 后 配 成 4 7 3 - 1 0 . 10 mol ·L 的 Tb N O3 3 溶液 ; 正硅酸乙酯 北京化工厂分析纯 ; 无水乙醇 天津市化学试剂厂分析 - 1 纯 ; 硝酸为优级纯 ,配成 0 . 10 mol ·L 溶液 ; 水为去离子水 ; Ga 99 . 99 % ,上海试剂厂 用浓硝酸溶解 ,配 成 0 . 10 mol ·L - 1 的 Ga N O3 3 溶液. 荧光光谱仪为日本 日立公司 F 4500 型 Fluore scence Sp ect rop hoto met er ,入射和出射狭缝均为 5 nm ,扫 描速度 1 200 nm ·min - 1 ,光电倍增管电压 400 V ; 红外光谱仪为