光子晶体波导对垂直腔面发射激光器光束远场形貌的调控刘安金.pdfVIP

第 59卷 第 2期 20 10年 2 月 物 　理 　学 　报 Vol. 59 ,No. 2 , February, 20 10/20 10 / 59 02 /1　03505 ACTA PHYSICA SIN ICA 20 10 Ch in. Phys. Soc. 光子晶体波导对垂直腔面发射激光器 光束远场形貌的调控 刘安金 　邢名欣 　渠红伟 　陈　微 　周文君 　郑婉华 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 ,北京 　100083 2009 年 4 月 18 日收到 ; 2009 年 5 月 22 日收到修改稿 研究了光子晶体波导对垂直腔面发射激光器 VCSEL 光束远场形貌的调控. 采用三层对称平板波导模型分 析了影响光子晶体 VCSEL PCVCSEL 远场发散角的参数. 研究表明 , PCVCSEL 中光子晶体的填充比 空气孔直 径和光子晶体周期的比值 以及空气孔的刻蚀深度控制了光束的发散角 ,低填充比和浅刻蚀的 PCVCSEL 有利于 获得低发散角的光束. 设计并制作了两种不同结构参数的 PCVCSEL ,这两种器件中光子晶体的填充比和空气孔 的刻蚀深度不同. 实验结果表明 ,低填充比和浅刻蚀的 PCVCSEL 的发散角更低 ,与理论分析符合得很好. 关键词 : 光子晶体波导 , 垂直腔面发射激光器 , 发散角 PACC : 4260F, 4255P VCSEL 的设计容差大 [ 15, 16 ] ,可重复性很高 ,所以在 1引 言 过去几年中 , PCVCSEL 受到人们的广泛关注并得 到深入的研究. 垂直腔面发射激光器 [ 1, 2 ] VCSEL 具有极低阈 在实际应用中 , VCSEL 光束的远场形貌至关重 值激射 、输出光束圆形对称 、易于二维阵列集成等 要 ,如在光通信 、光存储和传感定位中 ,光束的远场 优点 ,广泛应用于光互联 、光通信 、传感定位 、光存 形貌影响了耦合效率 、存储密度以及定位精度等性 储 、激光打 印等领域. 然而 , 这些应用通常要求 能. 在之前的 PCVCSEL 研究中 ,人们更多地关注 VCSEL 单模工作. 由于氧化孔径比纵向的等效腔长 它们的横模特性 ,而对 PCVCSEL 的远场特性讨论 大 ,传统氧化限制型 VCSEL 通常多模工作. 目前 , 较少. 本文研究了 VCSEL 中引入光子晶体波导对 实现 VCSEL 单模工作的方法有多种 ,如缩小氧化孔 光束远场形貌的影响 ,首先采用三层对称平板波导 径 [ 3 ] 、表面刻蚀结构 [ 4 ] 、楔形孔结构 [ 5 ] 、反波导结 模型分析了 PCVCSEL 中决定光束远场形貌的结构 构 [ 6 ]和光子 晶体波 导结构 [ 7, 8 ] 等. 对 于 850 nm 参数 ,发现低填充比和浅刻蚀的 PCVCSEL 有利于 μ GaA s基 VCSEL ,氧化孔径只有缩小到 3 m 时才能 输出低发散角的光束 ,然后设计并制作了两种不同 实现单横模输出[ 3 ] . 但是 ,氧化孔径减小 , 串联电阻 结构参数的 PCVCSEL ,证实了理论预测. 增大 ,降低了器件的调制速度 [ 9 ] . 表面刻蚀结构和 楔形孔结构需要精确地控制结构参数 , 可重复性 2 理论分析和设计 差. 反波导结构需要二次外延工序 ,制作工艺复杂. 而光子晶体波导结构 ,也称作光子晶体 VCSEL PC 在普通氧化限制型 VCSEL 中 ,氧化孔径起了电 VCSEL ,在上布拉格反射镜 DBR 引入三角晶格 流限制和光场限制的双重作用. 对于 850 nm GaA s 或者四方晶格 排列的单孔缺陷 或 7 孔缺陷 光 基单模 VCSEL , 由氧化引入的氧化区和非氧化区之 子晶体波导结构实现单模工作 [ 10—14 ] . 由于单模 PC Δ 间的折射率差 n 高达 003,远场发散角 半高宽 国家重点基础研究发展计划特别基金 批准号 : 2006CB92 1700 、国家 自然科学基金 批准号 :, 座机电话号码 , 座机电话号码 和国家高 技术研究发展计划 批准号 : 2006AA03Z403 资助的课题. 通讯联系人. Em ail: whzheng@ sem i. ac. cn 1036 物 　　理 　　学 　　报 59卷 [ 17 ] 度 超过了 20 ° . 然而在氧化限制型 PCVCSEL 中 ,氧化孔径比缺陷出光孔径大 , 光子晶体波导解 放了氧化孔径对光场的限制作用 ,氧化孔径只限制 电流 ,光场由光子晶体空气孔限制. 在 PCVCSEL 中 ,光子晶体波导