600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真.pdfVIP

半导仿器件 SemiconductorDevice DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2013．10．005 600V新型槽栅 内透明集电极 IGBT的仿真 张惠惠，胡冬青，吴郁，贾云鹏，周新 田，穆辛 (北京工业大学 电子信息与控制工程学院，北京 100124) 摘要 ：针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管 (ITC．IGBT)制造难度 高的问题 ，基于内透 明集电极 (ITC)技术 ，将点注入局部窄台面 (PNM)槽栅结构应用于 IGBT中，提 出一种600V 新型槽栅 内透 明集 电极 IGBT。采用仿真工具 ISE．TCAD，对 PNM．ITC．IGBT的导通特性、开关特 性 、短路特性等进行仿真 ，重点研究局域载流子寿命控制层的位置及其对 内载流子寿命的影响， 并与普通槽栅 内透 明集电极 IGBT进行对 比。结果表 明，新结构具有较低 的通态压 降和关断损 耗 ，尤其在短路特性方面，提 高了槽栅 IGBT的抗烧毁能力，且局域载流子寿命控制层的位置和 寿命存在最佳范围。 关键词 ：绝缘栅双极晶体管 (IGBT)；内透明集电极 (1TC)；槽栅；点注入；局部窄台面 (PNM) 中图分类号：TN322．8 文献标识码：A 文章编号：1003—353X (2013)10—0745—05 Simulation of600 V NovelTrench．GateITC．IGBT ZhangHuihui，HuDongqing，WuYu，JiaYunpeng，ZhouXintian，MuXin (SchoolofElectronicInformationandControlEngineering，BeijingUniversityofTechnology，Beijing100124，China) Abstract：A 600 V noveltrench—gate internaltransparentcollectorinsulatedgatebipolartransistor (ITC—IGBT)waspresented，inwhichapointinjectionpartiallynarrowmesa(PNM)trenchstructure was applied， due to high manufacturing difficulty of low—voltage transparent collector IGBT． By simulationtoolISE—TCAD ， the conducting， switching and short-circuitcharactersofPNM—ITC—IGBT weresimulated，especiallythelocationoflocalcarrierlifetimecontrol(LCLC)layerandtheeffectof lifetimecomparingwithconventionaltrenchITC—IGBT．Theresultshowsthatthenew sturcturehaslow on—statevoltage drop and low switch loss，particularly the ruggednessislargely improved，and the positionandli~timeofLCLC layerarelocated inanoptimum range． Keywords：insulatedgatebipolartransistor (IGBT)；internaltransparentcollector (ITC)； trench-gate；pointinjection；partiallynarrowmesa(PNM) EEACC：2560J