65nm Cu互连晶片边缘和辐射状污染研究.pdfVIP

半导体制造技术 Sem iconductorManufacturingTechnologies DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2013．09．007 65nmCu互连晶片边缘污染和辐射状污染研究 刘效岩，吴仪 (北京七星华创电子股份有限公司 集成 电路工艺设备研发中心，北京 101312) 摘要：随着si片尺寸加大和特征尺寸的缩小，对 si片的洁净程度 、表面的化学态以及表面 缺 陷等要求越来越高。针对300mm65nmCu互连晶片清洗后表面常出现边缘和辐射状污染的问 题。在理论分析的基础上 ，研究了缩短化学药液喷射臂和去离子水喷射臂的间隔时间的方法，实 现不同喷射臂无 间隔连续喷射技术 ，并优化化学药液喷射臂的摆臂速度 、轨迹和起始终止角度等 参数。采用北京七星华创 电子股份有限公司自主研发的300mm65nmCu互连单片清洗机进行工 艺实验 ，结果表 明：清洗后 晶片表面无边缘污染和辐射状污染，清洗后晶片表面临脊颗粒直径 0．12Ixm，临界颗粒数每片30个；临界尺寸变化不大于 2％。 关键词 ：300mmSi衬底 ；65amCu互连；边缘污染和辐射状污染；颗粒度；特征尺寸 中图分类号 ：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003—353X (2013)09—0676—05 StudyonEdgePollution andRadiationPollutionof65am Copper IntercOnnectiOnW afer LiuXiaoyan，W uYi (ICProcessingEquipmentRD Center，BeijingSevenstarElectronicsCO．，LTD．，Beijing101312，China) Abstract：Theprogressivelydecreasingfeaturesizeand increasingwafrsize isdrivingthedemand forcleaningwafer． Conventionalcleaningprocessfacesmanytechnicalchallengessuchaswafelrcleaning effect，surfacechemicalconditioningandsurfacedefect．Oneofthemostimportantissuesistheedge pollutionand radiation pollution frequently appeared on 300 mm 65 nm copper interconnection wafer surfaceaftercleaning．Basedontheoreticalanalysis，thenon—intervalcontinuousinjectiontechnologyis proposed，whichshortenthetimeofchemicalarm andde—ionizedwaterarm intervals． Inordertomeet thedemandsofcleanprocess，continuouseffortshavebeendevotedtooptimizingprocessparameters， such as the chemical arm swing speed，trail and initial termination angle． The experiment of optimizationprocessfactorsiscarriedoutbyusingSevenstarElectronicscleaningtoolofr300mm 65 nm copperinterconnection．Aftercleaning，theresultindicatedthatthereisnoedgeandradiationpollution， thecountofparticlesislessthan30on0．12 txm diameteredcr