MPCVD技术的发展历史及其现状毕业论文-正文.docVIP

第一章 前言 化学气相沉积法（CVD=Chemical Vapor Deposition）合成金刚石[1,2]是指在低压条件（≤100kPa）下，采用一定方法激活含碳气体，使其中的碳原子在基底（种晶）上过饱和沉积、生长成金刚石。碳源气体被激活和碳原子的沉积过程伴随着一系列化学反应，因此这种合成金刚石的方法被称为化学气相沉积法。要实现金刚石的化学气相沉积有几个必要条件： 1） 有碳源气体和激活碳源气体的能量，将碳原子从碳源气体中“剥离”出来; 2） 有供CVD金刚石生长的物理空间，即基底，或称种晶，根据实验目的的不同可选用不同的基底，常用作基底的材料有硅、钨、钼、等，但目前CVD法合成单晶金刚石必须采用金刚石作种晶，才能实现单晶CVD金刚石的同质外延生长; 3）有供化学气相沉积反应发生的生长室，且有配套设施提供生长所需的低压环境; 4）有氢气，碳原子的激活和沉积，以及CVD金刚石的生长必须要在高浓度的氢气中进行。 依照激活反应气体的能量和方法的不同，化学气相沉积法可分为热丝法和等离子体法两大类，其中等离子体法又根据激活等离子体的能量不同分为微波等离子体化学气相沉积法等四大类。 化学气相沉积法 微波等离子体化学气相沉积是目前最广泛使用的技术，极高的率μm h-1以上）生CVD厚单晶，CVD金刚石单晶有极高的断裂韧性和硬度力学性能，化学，光学和电子特性可以广泛。高速合成化学气相沉积单晶金刚石 §1.1起源 1952年美国联邦碳化硅公司的William Eversole[3]在低压条件下用含碳气体成功地同质外延生长出金刚石。但生长速度很慢，这一技术并不被看好。 1982年，日本国家机材料研究所（ NIRIM ）各种化学气相沉积技术合成金刚石薄膜长率10μm h-1，CVD法合成金刚石开始受到关注，全球多家科研机构开始对其进行研究。 §1.2 MPCVD技术的发展历史及现状 微波等离子体化学气相沉积一系列气相和表面化学反应反应产物金刚石在。金刚石沉积成核和生长。许多碳源可以使用，甲烷是最常的。1981年，Spitsyn发现，添加氢原子金刚石面化学气相沉积热力学过程稳定促进金刚石增长，刻蚀非金刚石碳长率为1μm h-1。 图1.1 MPCVD法合成多晶体金刚石SEM图像 图1.2 CVD合成单晶体金刚石[6]（刻面型,无色透明，台面为黄色HTHP合成金刚石，腰部和亭部为CVD单晶生长层，厚1.95mm） 生长过程缓慢（0.1-10μm h-1）成本高，单晶化学气相沉积金刚石大规模工业生产。20世纪80年代末法生单晶颗粒多晶薄膜，外延生长薄膜大多数厚聚晶金刚石（大于10μm）不透明。Element Six公司前身）开始从事CVD法合成金刚石的研究，合成出大量CVD多晶质金刚石工业产品，迅速在这个领域取得领先地位。 一般来说，温度，等离子，以及基材料结晶度单晶金刚石沉积使用单晶金刚石基。Snail 等[9]使用天然金刚石作为种晶，在1150-1500℃范围内成功同质外延生长出CVD单晶金刚石膜，生长率100-200μm h-1，但在温度和生长过程控制上还有相当大的困难只有0.1-1厚。1992年， GE 公司[6]宣布生产透明多晶CVD金刚石厚膜DF）和似钻碳体（DLC）作为涂层（镀膜）用于某些天然宝石以及对金刚石进行优化处理，但效果并不理想。1993年， Badzian等[13]使用微波等离子体辅助化学气相沉积法8?×8×0.7?mm3。 少量氮金刚石薄膜B2H6，可生长出硼掺杂CVDp型半导体。和住友单晶化学气相沉积金刚石电子应用20世纪90年代中期，美国卡内基同质外延大单晶金刚石高温（ 1000℃）和相对较高的压力（150）生长单晶金刚石的。这项技术可用于各种材料金刚石，掺杂大尺寸金刚石的。CH4和H2混合气体甲烷浓度高达20 ％，加少量的氮气，金刚石的增长率150μm h-1，并在这个速度保持稳定生长。 2004年，卡内基小组厚度为4.5毫米的高品质单晶材料的硬度增强，超传统合成金刚石2005年5月在日本召开的金刚石国际会议上，卡内基实验室披露，由于技术方法的改进，他们已能高速度（100μm h-1）生长出5到10ct的单晶体，这个速度差不多是高压高温法和其他商业性生产CVD金刚石方法的5倍，研究人员预言能够实现英寸级（约300ct）无色单晶体金刚石的生长。 日本产业技术综合研究所金刚石研究中心开发出了大型单结晶金刚石晶圆制造技术 在1200℃附近对表面温度进行精密控制，并准确控制氮含量，以（100）面为生长面生长接着（10）面进行、，然后再在（100）面上生长，从而使结晶逐渐大型化制造6.6克拉的金刚石单结晶50μm h-1。另外，产综研表示，CVD沉积装置，所制造的晶圆最大只有10mm见方