修复方法研究.pdfVIP

第 34卷第 9期 电 子 与 信 息 学 报 V01．34No．9 2012年 9月 JournalofElectronics＆ InformationTechnology Sept．2012 三维集成电路中硅通孔缺陷建模及 自测试 ／修复方法研究 余 乐①② 杨海钢 ① 谢元禄① 张 甲①② 张春红①② 韦援丰① 伸 国科学院电子学研究所 北京 100190) (中国科学院研究生院 北京 100049) 摘 要：硅通~L(ThroughSiliconVia，TSV)是3维集成电路(3DIC)进行垂直互连的关键技术，而绝缘层短路缺陷 和凸点开路缺陷是 TSv两种常见的失效形式。该文针对以上两种典型缺陷建立了TSv缺陷模型，研究了侧壁电 阻及凸点电阻与 TSv尺寸之间的关系，并提出了一种基于 TSV缺陷电阻端电压的检测方法。同时，设计了一种 可同时检测以上两种缺陷的白测试电路验证所提方法，该 自测试电路还可以级联起来完成片内修复功能。通过分析 面积开销可得，自测试 ／修复电路在3DIc中所占比例随CMOS／TSV工艺尺寸减小而减小，随TSV阵列规模增 大而减小 。 关键词：3维集成电路：硅通孔：缺陷；自测试；扫描 ／修复链 中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1009—5896(2012)09—2247-07 D0I：10．3724／SP．J．1146．2012．00048 A 3D IC Self-testandRecoveryM ethodBasedon ThroughSiliconViaDefectM odeling YuLe①② YangHaigang① XieYuanlu① — — ZhangJia①② ZhangChun—hong~ WeiYuan—feng① (InstituteofElectronics，ChineseAcademyofSciences，Beqing100190jChina) (GraduateUniversity，ChineseAcademyofSciences，Beijing100049，China) Abstract：ThroughSiliconVia(TsV)isthekeytechnologyforverticalinterconnectionsin3DICs，withinsulator shortandbumpopenbeingthetwomajortypesofTSVdefects．Inthispaper．aTSVdefectmodelispresentedand therelationshipsbetweenthelinearoxideresistance／bumpresistanceandtheTsVdimensionarediscussed．Based on themodel，amethod isproposedfordetectingthevoltageofthedefects’resistance．Toverifytheproposed method，aself-testcircuitwhich can detectboth typesofdefectsisdesigned，and itcan becascadedtoachieve auto-recoveryonchip．Then，theareaoverheadisanalyzedandtheresultsshowth