原子层沉积技术发展现状.pdfVIP

团 ：趋垫 塾 原子层沉积技术发展现状 (本刊编辑部) 摘 要 ：复杂的非平面结构基板形貌对传统的薄膜沉积技术产生了极大的挑战．不 同类型的集 成电路器件需要不 同的生产技术 ，同时也对薄膜材料提 出了不同的要求 为了突破现有材料 的性 能限制就要求开发具有更高性能的材料 原子层 沉积 (ALD)是一种 可足 以应对这些挑战的独特 技术 ，它所沉积的薄膜具有极佳 的均匀性 、台阶覆盖率和 (对薄膜 图形的)保形性 介绍 了原子层 沉积技 术原理、新 一代逻辑组件所 面临的课题 、原子气相沉积技术 AVD及原子层沉积设备现状 关键词 ：薄膜沉积 ；原子层沉积 ； _了．气桕沉积技术 ；原子层沉积设备 中图分类号 ：TN304．055 文献标识码 ：A 文章编号：1004—4507(201o)o1．0001．07 TheDevelopm entStatusofAtomicLayer DepositionTechnology (EditorialOfficeofEPE) Abstract：Thecomplexstructureofnon—planarsubstratemorphologyproducedagreatchallengeused inthetraditionalthin—film depositiontechnologies．ThedifferenttypesofIC devicesneeddifferentpro— duction techniques，butalsomadeofdifferentrequirementson thethin filmsmaterials．In orderto breaktheperformancelimitationsofexistingmaterials，itrequiresdevelopmentofamorehigh—perfor— mancematerials．AtomicLayerDeposition(ALD)istheuniquetechnoloyg tomeetthesechallenges．It hasexcellentuniformityofthin—filmdeposition，stepcoverage，and(forfilmgraphics)compliance．The principleofatom ic layerdepositiontechniqueandthe issuesofnew generation logicalcomponents fabricationfacingisIntroducedinthispaper，Thestautsquooftheatomicvapordepositionandatomic layerdepositiontoolisalsoIntroducedinthispaper． Keywords：Filmdeposition；Atomiclayerdeposition(ALD)；ALDtool；AtomicVaporDeposition(AVD) 随着半导体工艺技术持续推进 ，芯片尺寸及线 ALD)，最初称为原予层外延 (AtomicLayerEpitaxy， 宽的不断缩小、功能的提升成为半导体制造业者技 ALE)，也称为原子层化学气相沉积 (AtomicLayer 术的关键 ，其中对于薄膜工艺的厚度均匀性及质量 ChemicalVaporDeposition，ALCVD1。它是利用反 的要求 日渐升高 。传统的CVD沉积技术，已很难有 应气体与基板之间的气一固相反应 ，来完成工艺的 效地精确控制薄膜特性及满足 日益严苛 的工艺技 需求，由了二可完成精度较高的工艺，因此被视为先 术要求。 进半导体工艺技术的