zno纳米线肖基势垒的光电特性和整流特性的研究.pdfVIP

摘要 具有纤锌矿结构的ZnO是一种直接宽带隙的n型半导体材料，在室温下的禁带宽度 为3．4eV，激子结合能高达60meV，这些独特的性质引起了人们广泛的研究。而作为 一维的ZnO纳米结构由于具有大的比表面积、高的表面活性以及量子尺寸效应，能制 备出性能优异的紫外光电探测器、整流器件等。在本论文中，我们通过1．V．T研究了肖 特基接触的电学输运性质，利用高真空、紫外光(UV)实现了对肖特基势垒高度的控 制。研究发现在真空和UV条件下，氧气从表面脱附的过程中，会产生一个吸附一脱附 的动态过程。另外，我们还通过I．V．T研究了肖特基接触的整流性质，观察到正弦波在 正向偏压下具有截止特性。 线，并对两种方法制备的ZnO纳米线进行各项表征。利用在位电场组装的方法成功实 现了单根ZnO纳米线的组装。 第三章中我们首先研究了Au与单根ZnO纳米线的形成的肖特基接触在30—490K下 的1．v性质，研究发现当测试环境由室温大气转变成高真空并长时间放置后，肖特基接 触有向欧姆接触转变的趋势，这种转变主要由势垒高度的降低和隧道电流的增大所引 起。在真空、uV下会引起电流增大，达到稳定，关掉UV，长时间在真空下放置后， 加UV能再次引起电流的显著增大。这表明吸附氧的脱附不是一次性完成的，它的脱附 与所处的位置有关。 第四章我们发现Au／ZnO纳米线／Au的接触在暗态下具有良好的整流性质。在I．V-T 的测试过程中，我们发现这种整流性质与温度和电压有关。真空下，随着温度的升高， 整流性质变的更好，达到饱和电流所需的偏压更小。使用10．1000 Hz、10Vpp的正弦波、 Hz) 方波作为输入波形，输出波形在正向偏压变下表现出截止特性，但是在高频(1000 下的波形特征会发生了扭曲。在Uv照射下，波形的振幅相比于暗态时增加超过了10 倍。 关键词：在位电场组装，光电流特性，整流性质，截止特性 Abstract asadirectwideband wurtzitestructure ZnO 3．37 with and gap eV(300K)semiconductorhexagonal exciton 60meVhascauseda research．One larger bindingenergy widespread dimensional(1D)ZnO nanowiresornanobeitscarlbe asmoreexcellentultraviolet prepared detectors，gassensors，laser transmitterduetoits surface-to·volumesurface andthe sizeeffect．Inthis large ratio，highactivity quantum studiedtheelectrical of contacts I-V-T paper，we transportpropertiesSchottky throughcharacteristics，and observeda effectmeansof the barrier persistentphotoconductivityby controllingSchottkyheightthrough vacuumand high UV．Inadditional．wealsostudiedthe behaviorofthe